1) hole drift mobility
空穴漂移迁移率
2) hole mobility
空穴漂移率
3) hole mobility
空穴迁移率
1.
cm, and the highest hole mobility of the film is 50cm2/V.
ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ。
2.
Based on the consideration of the strain-effect in Si1-xGex alloy band,a semi-epirical hole mobility model in inversion channel of the Si1-xGexpMOSFET is founded.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
3.
A semi-experienced low-field hole mobility model of a strained Si_(1-x)Ge_x/Si pMOSFET is proposed by considering the effect of the strain on the energy-band structure of SiGe alloy.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
4) hole drift
空穴漂移
5) hole mobility enhancement
空穴迁移率增强
6) Hole transfer
空穴迁移
补充资料：漂移迁移率（driftmobility）
漂移迁移率（driftmobility）
在一块均匀的半导体材料中，用局部的光脉冲照射会产生非平衡载流子，光脉冲停止后，整个非平衡载流子的“包”在电场作用下以漂移速度v=μ|E|向样品一端运动，若已知电场强度|E|及脉冲电荷包漂移的距离x，可计算出迁移率μ=x/(|E|t)，其中t为光脉冲停止时刻与示波器探测到非平衡载流子电荷包的时间隔，这样测得的迁移率为漂移迁移率。漂移迁移率是非平衡载流子的平均漂移速度与电场强度的绝对值之比。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条