1) vacancy mobility
空位迁移率
3) hole mobility
空穴迁移率
1.
cm, and the highest hole mobility of the film is 50cm2/V.
ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ。
2.
Based on the consideration of the strain-effect in Si1-xGex alloy band,a semi-epirical hole mobility model in inversion channel of the Si1-xGexpMOSFET is founded.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
3.
A semi-experienced low-field hole mobility model of a strained Si_(1-x)Ge_x/Si pMOSFET is proposed by considering the effect of the strain on the energy-band structure of SiGe alloy.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
5) hole drift mobility
空穴漂移迁移率
6) hole mobility enhancement
空穴迁移率增强
补充资料：空位缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条