1) cavitation erosion
空隙浸蚀
2) clearance cavitation erosion
间隙空蚀
3) cavitation erosion
空隙腐蚀
4) gap cavitation
间隙空化空蚀
1.
Three schemes were adopted to round blade tip in order to improve tip clearance flow and reduce gap cavitation.
结果表明,修圆叶片压力面外缘有利于改善间隙流场的流动,可降低间隙空化空蚀的发生,而对泵的总体性能影响不大。
5) tip clearance cavitations on blade flange
轮缘间隙空蚀
6) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
浸蚀
1.
The results show that if the poled direction [001] lies in the (100) indentation plane, etching in HCl+HF solution causes the average length of 16 indentation cracks to increase from (140±17)μm to (211±26)μm, i.
研究了浸蚀对极化和未极化的BaTiO3单晶中畴变和压痕裂纹扩展的影响。
2.
IrO2-Ta2O5 oxide anode was prepared by coating oxide on titanium substrate which has been pretreated by sandblast and oxalic acid etching.
钛基体涂覆铱钽氧化物阳极制备过程中对基体喷砂并进行不同时间的草酸浸蚀。
3.
The structure of the membrane could be controlled by changing the current density,the ratio of HCl:H2SO4,the temperature and the etching time.
在浸蚀多孔金属铝模板中制备小尺寸TiO2阵列材料。
补充资料：电解浸蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条