1) dielectric imoermeability
介质隔离率
2) Dielectric isolation
介质隔离
1.
This paper applied MEMS processing technology to make sensor component and special dielectric isolation packaging process,developed pressure sensor;and produced several technical innovations on cavity inner filling frame,oil filled location and corrugated diaphragm,which improved product s filter pulse pressure,anti-over loading,and temperature factor.
运用MEMS工艺技术制作的敏感元件和介质隔离特殊封装工艺,研制出压力传感器。
4) dielectric impermeability
介电隔离率
5) dielectric groove isolation
介质槽隔离
1.
A new type of SiCOI MESFET device s tructure, SiCOI MESFET with dielectric groove isolation, is presented.
提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。
6) Fully dielectric isolation
全介质隔离
补充资料：介质充填率
介质充填率
charge volume of mill
1 iezh一ehongt一anlu介质充填率(eharge volume of mill)磨机静止时磨机内研磨介质的几何容积(包括介质间空隙在内)占磨机有效容积的百分数。介质充填率反映研磨介质在磨机中充填量的多少;对于不同的磨矿方式、磨机结构、操作条件和研磨介质形状，介质充填率均有一适宜范围，过高或过低，均影响磨矿效果。介质充填率有理论计算和实际测定两种求法。 理论计算法图中示出磨机静止时筒体横截面图;图中下部阴影部分代表研磨介质所占面积，其大小以:表示。设筒体截面积为F，则磨机中介质充填率必为蔺 磨机静止时筒体横截面 R一磨机筒体有效内半径;b一弦长;左弦高; 口-筒体中心;门弦对应的圆心角 SL__一S--，。· 协一苍书X 100%一于入100%(1) FL、‘“一/“F、‘’一“式中L为磨机筒体长，m。 已知磨机筒体有效容积V、介质密度a及介质充填率献小数)，不难求出磨机中介质质量w(t)。 W=V机笋占专(2)或W一V机庐。(3)式中a为介质密度，t/m3汤为介质密集率，球介质取0.62，棒介质取0.846;。为介质松散密度，t/m3。 买际测定法当工作磨机静止时，研磨介质将白动堆积在磨机筒体下部，测定研磨介质表面层的弦高h(或弦长b)代入式(4)或(5)即可求出磨机的实际介质充填率抓%)值，由此可判断磨机中介质质量: 当户>14%时， h、 必一 50一61.2(专亡)(4) rU””‘’“、R 当笋<14%时，，一5。一56(音)(5)式中R为磨机筒体有效内半径，m;h为弦高，m。 美国人邦德(F .C.Bond)也曾提出过相似的经验计算公式，即 ，一5。一63·5(贵)，%(6)实际证明式(6)计算结果的偏差较(4)、(5)两式的大。 (陈炳辰韩文正)
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参考词条