1) angle-resolved X-ray photoelectron diffraction (ARXPO)
角分辨X射线光电子衍射
2) angle-resolved XPS
角分辨X射线光电子能谱
3) high-resolution X-ray diffraction
高分辨X射线衍射
1.
Combining Rutherford backscattering/channeling (RBS/C) and high-resolution X-ray diffraction (HXRD) measurements, we investigate the radiation damage in GaN films with various doses and angles of Mg~+_implantation.
结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling,RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction,HXRD)的实验测量,研究了不同剂量和不同角度Mg+注入GaN所造成的辐射损伤。
2.
Micropipes and low-angle boundaries in 6H-SiC (0001) wafer are determined by transmission polarized light microscopy, synchrotron X-ray topography and high-resolution X-ray diffraction method, respectively.
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。
3.
In this thesis, high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscope were used to analyze the microstruction of GaN LED on sapphire substrate.
利用高分辨X射线衍射对GaN基LED外延片的超晶格结构进行了测量,得出了超晶格的结构信息。
4) HRXRD
高分辨X射线衍射
1.
have been gained by analyzing eptaxial STO films with a high resolution X-ray diffractometer(HRXRD+ TAXRD).
本文应用高分辨X射线衍射(HRXRD+TAXRD)技术对外延生长的SrTiO3膜进行了分析,获得了有关该薄膜的晶体取向、衬底的结构特性以及弛豫态的点阵常数等信息,对今后改进SrTiO3系列样品生长工艺有重要的意义。
2.
The effect of annealing time on the epitaxial strain in GaN films was detailedly studied by high-resolution X-ray diffraction(HRXRD).
采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应变的影响。
5) high resolution X-ray diffraction
高分辨X射线衍射
1.
Strain in Al I[WTFZ]nGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution x-ray diffraction;
用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变
2.
A hexagonal GaN layer with a LT-AlN(low temperature) interlayer grown on Si(111) by metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD) method was characterized by high resolution X-ray diffraction(HRXRD) and Rutherford backscattering(RBS)/channeling.
利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AlN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。
3.
Energy dispersive spectroscopy (EDS) was employed to measure the chemical composition of the quaternary, high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and photoluminescence (PL) technique were used to characterize structural and optical properties of the epilayers, respectively.
在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。
补充资料：X 射线光电子能谱
以X射线为激发光源的光电子能谱，简称XPS或ESCA。处于原子内壳层的电子结合能较高，要把它打出来需要能量较高的光子,以镁或铝作为阳极材料的X射线源得到的光子能量分别为1253.6电子伏和1486.6电子伏，在此范围内的光子能量足以把不太重的原子的1s电子打出来。周期表上第二周期中原子的1s电子的XPS谱线见图1。结合能值各不相同，而且各元素之间相差很大，容易识别（从锂的55电子伏增加到氟的694电子伏），因此,通过考查1s的结合能可以鉴定样品中的化学元素。
除了不同元素的同一内壳层电子（如1s电子）的结合能各有不同的值而外，给定原子的某给定内壳层电子的结合能还与该原子的化学结合状态及其化学环境有关，随着该原子所在分子的不同，该给定内壳层电子的光电子峰会有位移，称为化学位移。这是由于内壳层电子的结合能除主要决定于原子核电荷而外，还受周围价电子的影响。电负性比该原子大的原子趋向于把该原子的价电子拉向近旁，使该原子核同其1s电子结合牢固，从而增加结合能。如三氟乙酸乙酯CF3COOC2H5中的四个碳原子分别处于四种不同的化学环境，同四种具有不同电负性的原子结合。由于氟的电负性最大， CF婣中碳原子的C(1s)结合能最高（图2）。通过对化学位移的考察,XPS在化学上成为研究电子结构和高分子结构、链结构分析的有力工具。
除了不同元素的同一内壳层电子（如1s电子）的结合能各有不同的值而外，给定原子的某给定内壳层电子的结合能还与该原子的化学结合状态及其化学环境有关，随着该原子所在分子的不同，该给定内壳层电子的光电子峰会有位移，称为化学位移。这是由于内壳层电子的结合能除主要决定于原子核电荷而外，还受周围价电子的影响。电负性比该原子大的原子趋向于把该原子的价电子拉向近旁，使该原子核同其1s电子结合牢固，从而增加结合能。如三氟乙酸乙酯CF3COOC2H5中的四个碳原子分别处于四种不同的化学环境，同四种具有不同电负性的原子结合。由于氟的电负性最大， CF婣中碳原子的C(1s)结合能最高（图2）。通过对化学位移的考察,XPS在化学上成为研究电子结构和高分子结构、链结构分析的有力工具。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条