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1)  angle resolved X-ray photoelectron spectra
变角度X射线光电子谱
2)  ADXPS
变角X射线光电子能谱
1.
Angle dependent X-ray photoelectron spectroscopy(ADXPS)was used in analyzing SiO2/SiC interface transition region.
采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。
3)  angular-dependent X-ray electron spectroscopy
变角X射光电子能谱
4)  ARXPS
小角度X射线电子能谱
5)  X-ray photoelectron spectroscopy
X射线光电子谱
1.
X-ray photoelectron spectroscopy analysis (XPS) was used to analyze the tin ion permeation near the surface of different float glass samples.
利用X射线光电子谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对国内外浮法玻璃样品(样品A和样品B)下表面渗锡情况进行了对比分析。
2.
The films were characterized with Raman spectroscopy,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),and atomic force microscopy(AFM).
利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,在Si(100)上制备氮化碳薄膜,并对薄膜进行了拉曼(Raman)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子谱(XPS)等结构的表征。
3.
The interaction between Pt and CeO 2 was studied by X-ray photoelectron spectroscopy.
用X射线光电子谱研究了CeO2 和Pt间的相互作用 ,探讨了通过相互作用能提高CeO2 的氧化还原反应活性的机理 ,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较。
6)  XPS
X射线光电子谱
1.
XPS Study on Electronic Structure for PtSi/p-Si(111);
利用X射线光电子谱对PtSi/p-Si(111)的电子结构研究
2.
It is well known that low energy ion sputtering plaps an important role in quantification of surface composition by AES and XPS,such as to clean surface contamination and obtain depth profiles by low energy ion beam sputtering,ect.
由于离子溅射改变了固体表面化学成分,引起表面成分的再分布,使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段,对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。
3.
The formation process of Ti/Al2O3(1102) interface has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy(AES).
用X射线光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)研究了Ti/Al_2O_3界面形成的过程。
补充资料:X 射线光电子能谱
      以X射线为激发光源的光电子能谱,简称XPS或ESCA。处于原子内壳层的电子结合能较高,要把它打出来需要能量较高的光子,以镁或铝作为阳极材料的X射线源得到的光子能量分别为1253.6电子伏和1486.6电子伏,在此范围内的光子能量足以把不太重的原子的1s电子打出来。周期表上第二周期中原子的1s电子的XPS谱线见图1。结合能值各不相同,而且各元素之间相差很大,容易识别(从锂的55电子伏增加到氟的694电子伏),因此,通过考查1s的结合能可以鉴定样品中的化学元素。
  
  除了不同元素的同一内壳层电子(如1s电子)的结合能各有不同的值而外,给定原子的某给定内壳层电子的结合能还与该原子的化学结合状态及其化学环境有关,随着该原子所在分子的不同,该给定内壳层电子的光电子峰会有位移,称为化学位移。这是由于内壳层电子的结合能除主要决定于原子核电荷而外,还受周围价电子的影响。电负性比该原子大的原子趋向于把该原子的价电子拉向近旁,使该原子核同其1s电子结合牢固,从而增加结合能。如三氟乙酸乙酯CF3COOC2H5中的四个碳原子分别处于四种不同的化学环境,同四种具有不同电负性的原子结合。由于氟的电负性最大, CF婣中碳原子的C(1s)结合能最高(图2)。通过对化学位移的考察,XPS在化学上成为研究电子结构和高分子结构、链结构分析的有力工具。
  

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