1) infra-band absorption
红外<带>吸收<冶>
2) infrared absorption band
红外吸收带
3) IR absorption
红外吸收
1.
The microwave absorption and IR absorption of the samples were measured by vector network analyzer and Fourier .
对其形貌、微结构以及电导率分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和四探针法进行了表征,用矢量网络分析仪和傅立叶红外谱仪(FTIR)测试分析了样品的微波、红外吸收特性。
2.
This thesis selects hydrotalcite as selective IR absorption material by its characters of layer and ion-exchangeable.
本论文利用水滑石层状结构特点和层间离子的可交换性，将其作为选择性红外吸收材料。
4) infrared absorption
红外吸收
1.
Determination of carbon in C/C composite by high frequency combustion infrared absorption method;
高频燃烧红外吸收法测定炭/炭复合材料中碳
2.
Determination of Carbon in Titanium Alloys by High Frequency Infrared Absorption Method;
高频红外吸收法测定钛合金中的碳
3.
Conductivity and infrared absorption of La_(1-x)Sr_xMnO_3 conductive ceramics;
La_(1-x)Sr_xMnO_3导电陶瓷的导电性与红外吸收
5) Infrared absorbency
红外吸收
1.
Their infrared absorbency was investigated.
用溶胶凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的TiO2 超细粒子 ,对它们的红外吸收特性进行了研究。
2.
The structure,crystallization and infrared absorbency of Al2O3/SnO2 composites have been studied with XRD,AFM and infrared spectra.
研究了Al2O3掺杂对SnO2粉体物相结构、晶化行为及晶粒度的影响,并对Al2O3/SnO2复合粉体的红外吸收性能进行了研究。
3.
And the infrared absorbency material, which is a hot issue, has a widen prospect.
红外吸收是隐身技术的一种,红外隐身材料是当前隐身技术研究的一个热点,它具有广阔的研究前景。
6) FTIR
红外吸收
1.
The FTIR results show that the Si—O—Si absorption peak is enh.
红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强。
2.
The FTIR showed that the Si—O—Si,Si2O—SiH,H2Si—O2 absorption peaks enhanced,and Zn.
红外吸收谱表明锌掺杂后,Si—O—Si键、Si2O—SiH键、H2Si—O2键的振动增强,且引入了Zn—O键。
3.
At room temperature we have measured photoluminescence (PL) and Fourier-Transform Infrared (FTIR) absorption spectra of porous silicon (PS) layers which were asgrown or treated separately in the following three ways for 1h: 1.
3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条