1) infrared absorption spectra
红外吸收谱
1.
The results are obtained by X ray photoelectron spectra? infrared absorption spectra and atomic force microscope.
利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。
2.
A new type technique of semiconductor cleaning is studied via infrared absorption spectra,X ray photoelectron spectra and surface tension detector.
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 。
3) infrared absorption spectrum
红外吸收谱
1.
Theoretical calculation was made of the infrared absorption spectrum of MX compounds and, based on that, a localized mode with infrared activity in the infrared absorption spectrum of MX compounds was obtained.
对MX化合物的红外吸收谱进行了理论计算,由此得出在MX化合物的红外吸收谱中具有红外活性的定域模。
4) infrared absorption spectrum
红外吸收光谱
1.
The change of fibroin protein influenced by organic solute was analysed with the solubility of fibroin film and change of infrared absorption spectrum.
从丝素膜的溶解性及红外吸收光谱变化中，分析了有机溶剂对丝素蛋白质溶液的影响。
2.
Based on the near infrared absorption spectrum analysis of noninvasive blood glucose,this paper puts forward a new technique for the infrared absorption spectrum analysis of blood.
针对人体血糖无创监测的近红外光谱分析,提出一种血液红外吸收光谱分析的新技术,通过对正常人的全血和血清与高糖全血的红外吸收光谱进行测量,应用人工神经网络BP算法,以16个特征波长处的吸收值作为网络特征参数,进行网络训练。
3.
31μm wavelength as the excitation light, the thesis designed an infrared methane concentration detecting system based on the gas molecular infrared absorption spectrum.
针对以上气体浓度检测仪的缺点,本文在研究气体分子的红外吸收光谱理论的基础上,以集成24位ADC的单片机ADμC845为核心,利用λ=3。
5) infrared absorption spectra
红外吸收光谱
1.
Analysis of Auger electron spectrum and infrared absorption spectra of the SiO_xN_y thin dielectric film formed by low temperature PECVD;
PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析
2.
The results show that the infrared absorption spectra contains much information of carbon nanotubes,and is a.
在室温下测量了单壁碳纳米管的红外吸收光谱,首次在透射法模式下观察到了其晶格振动模的红外吸收峰,通过与晶格动力学理论计算值对照,做出了振动模的初步归属。
3.
X-ray diffraction and infrared absorption spectra were used to determine the structure and its change during fabrication.
提出以溶胶凝胶法制备含银Na2O-B2O3-SiO2玻璃的工艺及制备过程,用X射线衍射及红外吸收光谱分析制备过程中结构变化,用光学吸收谱、透射电镜及能谱分析确定银胶体粒子的存在及其分布。
6) infrared spectroscopy
红外吸收光谱
1.
Factors affecting and emendation fitting in measurement of infrared spectroscopy;
红外吸收光谱测量中的影响因素与拟合校正
2.
In order to solve the question how to clean paraffin from using objects and the surface,the paraffin dissolution characteristics are studied by measuring weight loss rate,paraffin removal rate and solubility,the dissolution products are also discussed with infrared spectroscopy.
针对非原油生产中石蜡从使用对象及其表面清除的问题,通过测定石蜡在几种常见试剂中的失重率、清蜡速度和溶解度等,研究了石蜡的溶蚀特征,并采用红外吸收光谱对溶蚀产物进行分析,结果表明:石蜡对香蕉水、丙酮等具有较强的抵御能力,并具有优良的抗酸、碱腐蚀性能;汽油、松香水、乙醚等三种试剂对石蜡都有较好的溶蚀效果,其溶解速度在第一小时内最快,之后变慢,9h后逐渐达到饱和;它们的清蜡速度分别是1。
3.
The mechanism is also discussed with infrared spectroscopy.
为了给石蜡性能改进和应用提供科学依据,采用数字熔点仪?材料万能试验机等,在硬脂酸质量分数为0~100%范围内,研究了石蜡-硬脂酸混熔体系的熔点和抗压强度特征,并采用红外吸收光谱对其机理进行分析,研究结果表明:硬脂酸对石蜡熔点有一定影响,当其质量分数在0~40%范围内,其熔点呈缓慢降低趋势,其后逐渐升高;硬脂酸对石蜡强度有明显的增强作用,尤其是质量分数在0~10%范围内,石蜡强度迅速升高,强度增长率达32。
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
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参考词条