1) beam attack
横向攻击
2) all-aspect attack
全向攻击
1.
The over-the-shoulder is a new attacking method of the air-to-air missile to intercept targets in rear hemisphere for all-aspect attacking.
越肩发射是空空导弹攻击后半球目标,实现全向攻击的新型攻击方式。
3) directional attack
定向攻击
1.
This paper analyzes the operational effectiveness on the directional attacking upon linear objective on ground when attacker launches missile in the way of fixed axle.
主要研究攻击机在定轴发射导弹时,对地面线状目标定向攻击的作战效能评估。
4) backward attack
后向攻击
5) all round attack
全向攻击
1.
The traditional all round attack strategy is based on the off boresight technology, which cannot attack rear targets.
提出一种建立在越肩发射基础上的全向攻击概念。
6) aggression turned inward
内向攻击
补充资料：横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
垂直于柱轴（横向）磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式，而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为：
$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$
$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$
这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径，d=r2-r1为柱壁厚度，ζ=r/δ(r1≤r≤r2)，Δ=d/δ，δ=δ0/ψ，δ0为大样品弱磁场穿透深度，ψ是有序参量。显然此时H1→0，M→-H0r22/2，样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$，$\Delta\lt\lt1$时，则
H1=H0/(1 ζ1Δ/2)，
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。
若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$，则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以，虽然$d\lt\lt\delta$，但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心，称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时，则H1≈H0，磁场穿透薄壁而均进入空腔，失去屏蔽作用，此时M≈0。类似于实心小样品，由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1，HK，HK2和临界尺寸等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条