补充资料：半导体光学晶体

半导体光学晶体
semiconductor optical crystal

　　半导体光学晶体semieon面etor optieax erystal用作光学材料的半导体晶体。从20世纪50年代开始，随着晶体管的发展，高纯锗(Ge)、硅(Si)的提炼获得成功，从而开始了红外光学材料的应用，形成了半导体光学晶体系列。除人工生长的单质晶体Ge和Si外，还有人工生长出的n一VI族和nl一V族化合物半导体晶体，以及金刚石。为了得到大尺寸的光学元件，还发展了用化学气相沉积法(CVD)生长的半导体多晶材料。多晶的光学性质通常与基本的单晶材料相同，但其强度明显提高，缺点是散射较单晶严重。半导体光学晶体的光子及光谱性能见表。 W族单晶和多晶最常用的是锗、硅晶体。锗单晶化学稳定性好，红外透过范围很宽(2一50月m)。由于晶体折射率很高(”>4)，因而光的反射损耗大于50%，使用时必须镀增透膜。在近红外波段一般镀5102膜层，在中红外波段镀ZnS膜层。在镀增透膜后，晶体的透过率可高达90%以上。N型Ge的杂质吸收率低于P型Ge，因而N型Ge的红外透过率更好。Ge的自由载流子吸收大，容易出现热失控引起的热破坏。Si的自由载流子吸收比Ge小，所以其热失控现象较Ge好。硅单晶在红外波段的折射率为3 .5左右，其两个表面的反射损耗略小于Ge(大于45%)，通常在近红外波段镀5102或A12O3增透膜，在中红外波段镀ZnS或碱卤化合物膜层。现已成功地生长出大尺寸Si和Ge的单晶和多晶。硅单晶及多晶的光学元件尺寸，直径最大为125 mm，高度为450 mm。

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