1) electro-optic crystal
电光学晶体
2) electro-optic crystals
电光光学晶体
3) crystal optics
晶体光学
1.
In this paper, the progress on the techniques of 3-D integration of optical systems based on crystal optics in author s Lab is given.
本文介绍作者提出的基于晶体光学原理的三维光学系统微小化集成技术的进展 ,着重介绍光折变晶体的微系统单块集成技术 ,即在一块铌酸锂晶体中空间选择性地生成各种所需的局域全息光学元件或功能元件 ,讨论所发展的新的非挥发光折变全息的机理、材料、方法和应用 ,以及实现大规模光交换开关矩阵的可能。
4) optical crystal
光学晶体
1.
Different kinds of growth defects in the optical crystals are summarized in this paper.
介绍了光学晶体中的各种生长缺陷,分析了它们的成因以及对于光学晶体性能的影响,并介绍了相关检测方法与手段的特点和局限性。
2.
In this presentation,we report on the high pressure Raman spectroscopic studies of some non linear optical crystals,e.
报道了高压下非线性光学晶体KNbO3 (KN) ,KIO3 (KI)和KTiOAsO4 (KTA)的Raman散射研究结果 ,压力引起的Raman光谱非常丰富 ,在所有的样品中都观察到了压致相变。
5) electro optic crystal
电光晶体
1.
The sensitivity and bandwidth of the electro optic crystal sensors are better than conventional photoconductive dipole antennas.
综合比较得出用电光晶体探测ＴＨｚ电磁辐射波形明显优于传统光导偶极天线探测技术，并指出该新型电光探测系统在实时二维远红外成像技术应用中有很好的发展前
6) electro-optic crystal
电光晶体
1.
Influence of electric field on the wave-guide efficiency of the fiber with cladding,which was made of uniaxial anisotropic and electro-optic crystal material with parallel optical axis to the axis of fiber,was investigated by means of numeric solution.
采用数值计算方法,研究了包层为单轴各向异性电光晶体材料且其主轴沿光纤轴线的单包层光纤外加电场对光纤波导效率的影响。
2.
From the principles of self-mixing interferometry and phase modulation using electro-optic crystals, an electro-optic modulator in the external cavity is put, and sinusoidal phase modulation using electro-optic crystal in self-mixing interference is analyzed.
从自混合干涉和电光晶体调制位相的基本原理出发,通过将电光晶体引入自混合干涉外腔调制,研究了自混合干涉测量中电光晶体的位相调制性能。
3.
The key technologies which conclude the designation of electro-optic crystal cell,confirmation of quiescent opera.
对电光晶体器件设计、静态工作点控制、光束整形系统等关键技术进行了深入的研究。
补充资料：半导体光学晶体
半导体光学晶体
semiconductor optical crystal
半导体光学晶体semieon面etor optieax erystal用作光学材料的半导体晶体。从20世纪50年代开始，随着晶体管的发展，高纯锗(Ge)、硅(Si)的提炼获得成功，从而开始了红外光学材料的应用，形成了半导体光学晶体系列。除人工生长的单质晶体Ge和Si外，还有人工生长出的n一VI族和nl一V族化合物半导体晶体，以及金刚石。为了得到大尺寸的光学元件，还发展了用化学气相沉积法(CVD)生长的半导体多晶材料。多晶的光学性质通常与基本的单晶材料相同，但其强度明显提高，缺点是散射较单晶严重。半导体光学晶体的光子及光谱性能见表。 W族单晶和多晶最常用的是锗、硅晶体。锗单晶化学稳定性好，红外透过范围很宽(2一50月m)。由于晶体折射率很高(”>4)，因而光的反射损耗大于50%，使用时必须镀增透膜。在近红外波段一般镀5102膜层，在中红外波段镀ZnS膜层。在镀增透膜后，晶体的透过率可高达90%以上。N型Ge的杂质吸收率低于P型Ge，因而N型Ge的红外透过率更好。Ge的自由载流子吸收大，容易出现热失控引起的热破坏。Si的自由载流子吸收比Ge小，所以其热失控现象较Ge好。硅单晶在红外波段的折射率为3 .5左右，其两个表面的反射损耗略小于Ge(大于45%)，通常在近红外波段镀5102或A12O3增透膜，在中红外波段镀ZnS或碱卤化合物膜层。现已成功地生长出大尺寸Si和Ge的单晶和多晶。硅单晶及多晶的光学元件尺寸，直径最大为125 mm，高度为450 mm。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条