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1)  Kynar
高性能含氟聚合物单丝<纺>
2)  fluorine-containing monomer
含氟聚合物单体
3)  Ftorin
[纺]高性能含氟纤维
4)  waterborne fluorine-containing polymers
水性含氟聚合物
1.
The main methods of synthesizing waterborne fluorine-containing polymers can be calssified into three major types: emulsion polymerization, post-emulsification polymerization and suspension polymerization, which are all discussed in this paper.
国内外合成水性含氟聚合物的主要方法可分为乳液聚合法、后乳化法及悬浮聚合法,在此基础上论述了人们在涂料用水性含氟聚合物合成领域内所取得的进展及面临的挑战。
5)  conflex ['kɔnfleks]
[纺]高性能含碳聚丙烯纤
6)  Kinubia,Pewlon
高性能聚丙烯腈丝<纺>
补充资料:高性能金属-氧化物-半导体集成电路
      器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小,其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术,简称HMOS。
  
  
  按比例缩小原则  表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后,电路性能提高的情况:速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化,对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中,希望电源电压保持不变,因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进,比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的,而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
  
  微细化 MOS电路的次级效应  MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列的次级效应。①短沟道效应:沟道过短时,开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应:沟道太窄时,开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通:沟道过短并加上一定的V时,源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应:在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低,从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应:沟道长度缩短到一定程度后,沟道区内的电场变得很强,使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中,引起开启电压的漂移,从而使长期工作不尽可靠。
  

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