1) high performance polymer
高性能聚合物
1.
Cleaning processes used for spinning solution filter of high performance polymer were presented.
介绍了一种用于高性能聚合物纺丝溶液过滤器的清洁工艺。
2.
The recent progress in the fnctional high performance polymers and their uses as separating membrane, conductive polymers, nonlinear optics and transparent materials is described.
对高性能聚合物功能化及分离膜、导电、非线性光学、透光材料等功能材料的研究进展作了较为详细的介绍。
3.
Polyimides are a typical kind of high performance polymers with high strength and high modules, higher thermal stability, especially, resistance to radiation and dialectical property.
聚酰亚胺是典型的高性能聚合物,具有其较好的力学性能、较高的热稳定性、优越的耐辐射性能及介电性能等,可望在非常严酷的环境中使用,如原子能工业、航空航天、军事等高技术领域。
2) high performance/high temperature polymer
高性能高温聚合物
3) high performance polymer modified bitumen
高性能聚合物改性沥青
1.
Gussasphalt with high performance polymer modified bitumen has a longer fatigue life and a lower breaking temperature; they can be used in the .
高性能聚合物改性沥青浇注式混合料具有较长的疲劳寿命和较低的断裂温度 ,可用于钢桥面浇注式沥青铺装 。
4) High performance polymers containing phthalazinone moieties
杂萘联苯高性能聚合物
5) Properties of Copolymer
聚合物性能
1.
Studies on Solution Polymerization of Methyl Methacrylate-Butylacrylate-Acrylic Acid Copolymer Ⅲ Properties of Copolymer;
甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸丁酯-丙烯酸三元溶液聚合研究 Ⅲ 聚合物性能研究
2.
The effect of condition of copolymerization on properties of copolymer is studied.
利用溶液聚合方法合成了Poly(St -BA -AA)聚合物溶液 ,研究了聚合条件的变化对聚合物性能的影响。
补充资料：高性能金属-氧化物-半导体集成电路
器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术，简称HMOS。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条