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1)  emitter stabilization
发射极稳定
2)  emission stability
发射稳定性
1.
A field emission device with tetrapod-like Zinc Oxide nanostructures was made by the screen printing method to observe the emission stability.
在实验过程中,阴极发射电流的波动幅度在2%以下,说明四针状氧化锌纳米发射体具有较好的发射稳定性。
2.
In the vacuum testing system, data acquisition system was adopted to monitor the gate voltage, anode voltage, anode current and gate current, the emission stability and emission nois.
测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。
3)  crystal-stabilized transmitter
晶体稳定发射机
4)  emitter timing monostable circuit
射极定时单稳电路
5)  stability limit
稳定极限
1.
The stability limit of power transmission from Shaanbei Grid to Guanzhong Grid is analyzed based on the Shaanxi Grid structure in 2006,the results show that the power delivery capacity from Shaanbei to Guanzhong Grid is restricted by the stability limit of transmission sections.
以陕西2006年电网结构为基础,分析了陕北电网向关中电网送电的稳定极限。
2.
Stability limit of synchronous electric machine matches with the exciting current If and armature current IM in the stability limit area of V-curve,traditionally,there are two methods to solute the stability limit: drawing potential vector and field exploring.
同步电机稳定极限对应于与V型曲线上稳定极限区相对应的励磁电流If和电枢电流IM,稳定极限的计算传统上有两种方法:电势向量图法和实测法。
3.
To investigate the rationality of the load model currently used by Fujian power grid, the stability limits of Fushuang lines are calculated for different network structure and nodal load models of Fuzhou power network as index of Fujian power grid s transient stability level, and factors influencing load characteristics and system stability are analyzed.
为了检验福建电网现有负荷模型的合理性,以福双(福州一双龙)线的稳定极限作为重要衡量指标,对福州地区电网采用不同的网架结构和节点负荷模型下福建电网的暂态稳定水平进行了计算,并对影响负荷特性和电网稳定水平的各因素进行了分析。
6)  stability limits
稳定极限
1.
Analysis on factors influencing transient stability limits of long-distance transmission profile;
远距离输电断面暂态稳定极限的影响因素分析
补充资料:发射极功能逻辑电路
      以"与"门输入和"或"门输出的非饱和型逻辑电路,简称EFL电路。它无"非"门的功能。其基本单元电路由两部分组成:由共基极工作方式的多发射极晶体管与上拉电阻Rc、下拉电阻Re构成输入级;由多发射极晶体管构成射极跟随器输出级(见图)。这种逻辑电路出现于70年代。在发射极功能逻辑电路中,共基极方式工作的输入晶体管的集电极 G点的电位与发射极输入端的逻辑关系为G=A·B,发射极跟随器不改变其逻辑关系,而发射极跟随器发射极输出的"线"功能可实现"或"逻辑。因此,图中电路的输入、输出有如下逻辑关系
  O1=A·B+C
   O2=A·B+D
  
  发射极功能逻辑同发射极耦合逻辑相同,典型的逻辑摆幅值为0.8伏,逻辑高电平为-0.8伏,逻辑低电平为-1.6伏,而参考电压Ub为-0.4伏。发射极功能逻辑电路是由发射极耦合逻辑电路改进而成。发射极耦合逻辑电路同相集电极构成"与"功能,射极跟随器的发射极输出能形成"或"功能,并只取发射极耦合逻辑电路的同相输出部分。
  
  
  在发射极功能逻辑基本单元电路中,输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外,不包括任何反相器,这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
  
  然而,发射极功能逻辑电路没有"非"的功能是一大缺点,因而应用受到限制。同时,由于Ub=-0.4伏,输入晶体管集电结有0.4伏正偏,只有逻辑幅度和集电极串联电阻受到限制,才能保证输入晶体管集电极正偏不至于恶化到影响正常工作。
  
  发射极功能逻辑电路是在发射极耦合逻辑电路基础上的简化电路,它在大规模集成电路中作为内部单元电路和在与发射极耦合逻辑电路配合时,以构成各种组合门方面显示出速度快、结构简单、功耗小和功能灵活等优点。
  
  

参考书目
   复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社出版,北京,1978。
  

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