1) isoelectronic ion
等电子离子
2) plasma arc
等离子电弧
1.
Temperature field of 1Cr18Ni9Ti sheet metal forming using plasma arc;
1Cr18Ni9Ti不锈钢薄板等离子电弧加热弯曲成形的温度场
2.
In this paper,the characters of flexible forming of sheet metal using plasma arc are introduced,and its mechanism is analyzed.
介绍了等离子电弧加热金属薄板柔性成形的特点,分析了等离子电弧柔性成形的机理。
3.
The plasma arc welding (PAW) possesses a higher productivity for its high energy density arc and a powerful arc force at the anode.
因为所建模型包括了一部分约束喷嘴和钨极,所以该模型可以反映焊枪结构和钨极形状等对等离子电弧的影响。
3) spark plasma
放电等离子
1.
Study on Synthesizing Fe_xAl_y/Al_2O_3 Nanocomposite by Mechanical Active-Spark Plasma Sintering;
机械活化—放电等离子原位合成Fe_xAl_y/Al_2O_3纳米复合材料
2.
Method of mechanically activated spark plasma sintering (MASPS) was used.
利用机械活化-放电等离子(MASPS)的方法,将铁粉、铝粉和Al2O3粉的混合粉末通过高能球磨进行机械活化,并利用放电等离子快速烧结得到FeAl／Al2O3块体材料,讨论了Al2O3的活化作用及烧结工艺对复合材料组织与性能的影响。
4) spark plasma sintering
放电等离子
1.
Research on graphite and steel of spark plasma sintering welding
石墨与钢的放电等离子焊接
2.
The synthesis of Ti_3AlC_2/TiB_2 composites was studied by spark plasma sintering with different volume content of TiB2.
采用放电等离子烧结方法研究了Ti3AlC2/TiB2复合材料的制备和不同TiB2含量(体积百分数)对Ti3AlC2/TiB2性能的影响。
3.
Ti3AlC2/TiB2 composites were prepared by the spark plasma sintering(SPS)process with different volume fractions of TiB2,and the properties of Ti3AlC2/TiB2 composites were investigated.
采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺制备了Ti3AlC2/TiB2复合材料,并研究了复合材料的性能。
5) Plasma
[英]['plæzmə] [美]['plæzmə]
等离子电弧
1.
Synthesis of AlN Nanowires by Nitrogen Plasma-molten Al Reaction and Heat Treatment in Nitrogen Atmosphere;
等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线
2.
The structural prototype heated by the plasma arc was designed in terms of the plasma arc technology , the jet bounce-back principle ,the dynamical characteristics of the water vapor and the high-speed L.
为了提高船舶的航行速度、降低噪声以及实现直线推进,本文在对传统推进方式分析的基础上,参照空间电推进与喷气式推进两种推进方式,依据等离子电弧理论、水蒸气热力学特性、喷气反冲推进效应以及高速拉瓦喷管理论,选取了水蒸气为推进工质,设计了基于等离子体电弧加热的喷气式推进器结构原型,确定了推进器反应室的两个结构参数—容积和电极尺寸的大小,计算了推进器所用喷管的喉部直径、排气口直径等结构参数。
补充资料：等电子陷阱
固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态。所谓等电子杂质系指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或Bi原子。等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径，这些差异会产生以短程作用为主的杂质势，可以俘获电子(或空穴)。当这种杂质势的绝对值大于电子(或空穴)所处的能带的平均带宽或电子的有效"动能"时，能带中的电子（或空穴）便可能被等电子杂质所俘获并造成电子（或空穴）束缚态。相对于点阵原子而言，通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态，反之形成空穴束缚态。前者又称等电子受主，后者为等电子施主。这是两种最基本的等电子陷阱。此外，实验上已确认：不仅孤立的等电子杂质，而且不同距离的两个等电子杂质联合成对，例如GaP中的NNi对（i=1,2,...分别表示处于第一近邻、第二近邻......等的NN对）也可以形成等电子陷阱。
1968年后，又从实验研究中发展了等电子陷阱的概念，认为半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd－O对(尽管这些不是等电子杂质)，实际上类似于晶体中的中性分子。它们也以短程作用束缚电子，构成等电子陷阱。
等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。因为这种束缚激子(至少其中有一个载流子)在正常空间中是非常局域化的,根据量子力学的测不准关系,它在动量空间的波函数相当弥散，使得处于布里渊区内动量不为零的电子在动量为零处波函数也有相当幅度。这样，就和空穴波函数有大的交叠。因而有可能实现准直接跃迁而使辐射复合几率显著提高。在间接带隙的材料中，引入适当的等电子杂质，就可使发光效率获得显著提高。这一原理已在GaP和GaAsP发光二极管的制造中被广泛应用。
参考书目
J.I.Pankove, Optical Processes in Semiconduct-ors,Prentice-Hall,Englewood Cliffs,New York,1971.
1968年后，又从实验研究中发展了等电子陷阱的概念，认为半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd－O对(尽管这些不是等电子杂质)，实际上类似于晶体中的中性分子。它们也以短程作用束缚电子，构成等电子陷阱。
等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。因为这种束缚激子(至少其中有一个载流子)在正常空间中是非常局域化的,根据量子力学的测不准关系,它在动量空间的波函数相当弥散，使得处于布里渊区内动量不为零的电子在动量为零处波函数也有相当幅度。这样，就和空穴波函数有大的交叠。因而有可能实现准直接跃迁而使辐射复合几率显著提高。在间接带隙的材料中，引入适当的等电子杂质，就可使发光效率获得显著提高。这一原理已在GaP和GaAsP发光二极管的制造中被广泛应用。
参考书目
J.I.Pankove, Optical Processes in Semiconduct-ors,Prentice-Hall,Englewood Cliffs,New York,1971.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条