1) magnetic transition temperature
磁性跃迁温度
2) electromagnetic transition property
电磁跃迁特性
3) electromagnetic transition
电磁跃迁
1.
The positive parity collective state and electromagnetic transition in the 110 P d are studied in the framework of the Interacting boson model.
本文采用相互作用玻色子模型研究了1 1 0 Pd 核的低能激发态的能谱和电磁跃迁 ,应用简化的哈密顿量很好的描述它们的能谱和跃迁过渡 。
2.
Spectra and electromagnetic transition for the even-even 140-162Gd isotopes are studied in the framework of the interacting boson model.
采用相互作用玻色子模型研究了140-162Gd偶偶核的低能谱和电磁跃迁,应用一个U(5)→SU(3)的简化哈密顿量很好地描述它们的低能谱和电磁跃迁过渡。
3.
The primary results, including systematic analysisof energy spectra and electromagnetic transition, and the empirical law extracted from experimentaldata, are presented.
这是近年来兴起的一个领域,主要包括:用已有模型对偶偶核能谱和电磁跃迁性质及其演化规律进行系统分析,从实验数据中提取经验公式等。
5) transition density
跃迁密度
1.
Based on the view point of the α particle structure of the 12 C nucleus,a simple form of the α transition density in 12 C nucleus is constructed,which fits the inelastic electron scattering form factors of 12 C very well.
利用已知的原子核跃迁密度 ,得出了12 C原子核α粒子跃迁密度分布的解析式 。
2.
In this paper, the ~(12)C transition density and P-~(12)C inelastic scatteringdifferential cross section are studied on the basis ofα-particle model.
本文从粒子结构观点出发,对~(12)C跃迁密度及P-~(12)C非弹性散射进行了研究。
6) transition density(TD)
密度跃迁
1.
The orientation and strengths of the transition dipole moments of them are interpreted with 3D transition density(TD),and the excited state characters of the ICT or localiz.
它们的跃迁偶极矩的强度和方向用三维密度跃迁(TD)加以解释,用三维电荷密度差(CDD)观察分子间电荷转移(ICT)的激发态特征或局部激发态特征。
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料
磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条