1) thin-film cryotron
薄膜低温管
2) LTPS TFT
低温多晶硅薄膜晶体管
1.
Fabrication of LTPS TFT with High Qualities and Design for Integration of Peripheral Drive Circuits;
高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计
3) LTPS
低温多晶硅薄膜
1.
The low-temperature polycrystalline silicon thin films(LTPS),as the first choice for the fabrication of thin film transistor(TFT),have attracted more and more attention recently because of its excellent performance for flat panel display.
低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。
2.
The principles and progress of LTPS preparation methods including metal induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA),catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) were systematically introduced.
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。
3.
Presently, the driving technology based on the thin film transistor (TFT) of low temperature polycrystalline silicon (LTPS) has been proven to be the only way to achieve excellent performances in the large area flat-panel displayers.
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。
4) low-temperature polycrystalline Si film
低温多晶Si薄膜
1.
High-quality low-temperature polycrystalline Si films were obtained under the optimal amount of H_2 in the source gas.
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜。
5) cryogenic film
低温薄膜存储器
补充资料：低温超导薄膜
低温超导薄膜
low critical temperature superconducting thin film
低温超导薄膜low eritieal temPerature Super·eonduetil堪thin film厚度小于1月nl的低温超导材料。是一种实用超导薄膜。在高温超导体发现以前，低温超导薄膜是制作超导电子器件的主要薄膜材料。高温超导体发现之后，由于低温超导薄膜在均匀性、一致性及隧道结制备和集成电路工艺方面所具有的优势，它在超导器件中仍占重要地位。低温超导薄膜的热噪声低，它制作的器件灵敏度高，为高温超导薄膜器件所不及。 低温超导薄膜主要有低熔点超导薄膜、高熔点超导薄膜和化合物超导薄膜3类。 低熔点超导薄膜以铅(Pb)、锢(In)、锡(Sn)、铝(AI)等低熔点金属及其合金Pb一In、In一Sn、Pb一Sb等制作的低温超导薄膜。这些材料的蒸发温度低，在普通的高真空设备(真空度在10--”一10巧Pa)中，用电阻加热蒸发即可将其制备成薄膜。早期的超导电子器件均以这些薄膜为基础。低熔点超导薄膜器件的研究奠定了现代超导电子学基础。低熔点超导薄膜因其化学稳定性和热稳定性低，逐渐为另两类薄膜所取代。 高熔点超导薄膜难熔金属及其合金制作的超导薄膜。由于熔点高，不能用简单的电阻加热法制备，而需要采用电子束蒸发法、溅射法或化学气相沉积法(CVD)制备。高熔点超导薄膜的化学稳定性及热稳定性高，临界温度Tc也高于低熔点超导薄膜，是制备超导电子器件的更好材料。在制备工艺发展成熟后，高熔点超导薄膜就取代了低熔点超导薄膜。 锭(Nb)超导薄膜在高熔点超导薄膜中占有重要地位。Nb是Tc最高的元素超导体，Tc二9.2K。Nb的Tc虽然比一些合金超导体略低，但差别不大，而制备工艺却简单得多，既没有组分控制问题，也不存在成分不均匀问题。Nb膜的Tc对氧杂质很敏感，氧含量增加lat%，7飞下降IK。在超高真空条件下(氧分压<10一6Pa)，才能制备出优良的Nb薄膜。提高薄膜淀积速率，对基片进行加热，在溅射法制备薄膜时提高溅射电压等，都可降低薄膜内氧的含量，提高Nb薄膜质量。基片温度高于300℃时，比较容易获得Tc为9 .2K的优良Nb膜。新制备的Nb薄膜，表面很容易吸附氧气，给制备器件的后续工艺带来不利影响。为此，应尽可能提高系统的本底真空，并尽量缩短各工艺步骤间的时间间隔。Nb膜及器件的制备工艺已经相当成熟，已可制备相当复杂的超导器件。化合物超导薄膜低温超导化合物种类繁多，具有重要实用价值的是B一1型化合物薄膜和A一15化合物薄膜。前者的典型是NbN，后者的典型是Nb 3 Sn和Nb3Ge。 ①NbN薄膜:典型的B一1型化合物(见B一1超导体)。其Tc为17.3K，Hc为43T，热稳定性和化学稳定性高且抗中子辐照，是优良的超导薄膜材料。在氢(Ar)与氮(NZ)混合气体中进行反应溅射，在温度为350一600oC的石英、熔凝石英、蓝宝石以及碳纤维上，可获得性能良好的NbN薄膜。NbN薄膜的临界电流密度Jc(4.2K、20T)高达Zxl06A/emZ。已用NbN超导薄膜制作出高度稳定的超导量子干涉器器件。制备NbN的基片温度较低，工艺条件也不像A一巧化合物那样严格。 ②Nb3Sn薄膜:Sn的含量在18一25at%时，Nb-Sn体系就可形成A一巧结构化合物，Tc在17一18K。Nb3Sn薄膜的制备较容易，电子束共蒸发法、溅射法与CVD法都可制备出良好的Nb3Sn薄膜。用A1203陶瓷片、镍基合金与蓝宝石作为基片，温度在720一900oC可制得Tc在17一18K的Nb3Sn薄膜。在镍基合金带上，用CVD法可制备长度超过1000m的Nb3Sn超导带。这种方法曾经取代粉末冶金法生产Nb3Sn带材，后来又被效果更好的青铜法和扩散法所取代。Nb3Sn薄膜的热稳定性和机械强度不如NbN，而临界温度又低于后来发现的Nb3Ge(Tc为23K)，因而逐渐被NbN与Nb3Ge所取代。 ③Nb3Ge薄膜:Nb3Ge的临界温度为23K，直到1986年高温超导体发现之前，它保持Tc最高记录达13年之久。在热平衡状态下，A一15结构的Nb3Ge只存在于锗(Ge)含量在18一20at%的狭窄范围内，Ge含量显著地低于化学计量比25at%，其临界温度只有6K。将Nb3Ge制备成薄膜，可使Ge含量提高，Tc达到23K。用溅射法比较容易制备出Tc高的NbaGe薄膜。制备的典型条件为:直流溅射，溅射电压750V，Ar气压强尸为40Pa，基片与靶间距离d为2.scm，基片为石英、蓝宝石、担(Ta)和钨(W)等耐高温材料，温度在700一900℃，所得到的Nb3Ge薄膜的Tc达21.5K，上临界磁场HcZ为37T。在溅射过程中，需要保持尸·d)50 Pa·cm，以使Nb、Ge粒子在到达基片前充分与Ar原子碰撞，失去过多的动能，以较小的速度落到基片上，避免动能过大时对薄膜所产生的破坏作用。用电子束共蒸发法与CVD法也可制备出优良的Nb3Ge薄膜。已用NbaGe薄膜制成约瑟夫森器件。制备Nb3Ge薄膜的方法也可用于制备其他的A一巧化合物薄膜，如Nb3AI，Nb3Si，Nb3(AI，Ge)等薄膜。 (牵穷成)
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