2) semi-infinite plate
半无限板
3) semi-infinite target
半无限靶板
1.
The experiments that long rods of three kinds of sections(triangle,quadrangle and circular) penetrating semi-infinite target were studied under the same conditions of quality section area.
9 km/s,长径比为20,在相同的质量和横截面积条件下,3种截面形状(三角形、四边形及圆形截面)的长杆体,对其垂直侵彻半无限靶板特性进行了试验研究。
2.
Some experiments of impacting semi-infinite target perpendicularly were carried out by the triangular and quadrangular cross-section penetrators,at lengthdiameter ratios of 20,impacting velocity of 1 600 m/s to 1 800 m/s.
针对长径比为20,截面形状分别为三角形和四边形的两种异型杆,在1 600~1 800 m/s速度范围内,开展了其垂直侵彻半无限靶板的试验研究和模型分析,在模型中考虑了弹杆横截面对异型杆侵彻均质靶板的影响。
4) infinite half plane
半无限平面
5) infinite plate
无限大平板
1.
Theoretical analysis of unsteady-state thermal conduction of infinite plate
无限大平板非稳态导热理论分析
6) clamped semi-infinite plate
悬臂半无限大板
1.
Based on the boundary integral formula for the boundary value problems of bi-harmonic equations,genernal bending solutions to clamped semi-infinite plates under arbitrary lateral loads are obtained.
根据双调和方程边值问题的边界积分公式,求得了一般载荷作用下悬臂半无限大板的弯曲解,在此基础上求解了不同边界条件下几种半无限大板的弯曲问题。
补充资料：电磁波在半无限屏缘的衍射
均匀平面波照射半无限导体薄屏时，在屏的背后形成阴影(图1)。电磁场在均匀媒质中只能连续分布，从投射波的照射区到屏的阴影区，场应当逐渐过渡，场在反射区的边界处也应逐渐过渡。因此，除反射波外，还存在衍射场。
如以屏缘以外半平面上的场为二次源，可以近似求得屏后半空间的场。由于二次源分布在半无限平面上，所以只存在菲涅耳衍射，当电磁波垂直投射时，应用这种衍射理论求得屏背后平行于屏的一条横线上场强的分布如图2所示。照明区内场强的起伏正是衍射场与投射场相干涉的结果。
从衍射场的严格解得到：在反射区边界以外没有反射波,在阴影区没有投射波,而在全空间都存在着衍射波。如果投射线与屏缘的夹角为 θ，投射线在屏缘的法平面上的投影和屏缘在屏上的法线间夹角为φ0(0<φ0<π),则除去与屏面夹角为π-φ0的一对半平面附近，衍射波面是顶点在屏缘上而锥角为的锥，其法线(衍射线)则在锥角为 θ的锥上。除两边界附近以外，在远离屏缘处，衍射场的振幅与到屏缘的距离ρ 的次幂成反比。在两个边界附近,衍射场的振幅几乎不随ρ 改变,而相位发生跃变,它弥补了投射波或反射波的陡然终止,而保证场的连续。
如以屏缘以外半平面上的场为二次源，可以近似求得屏后半空间的场。由于二次源分布在半无限平面上，所以只存在菲涅耳衍射，当电磁波垂直投射时，应用这种衍射理论求得屏背后平行于屏的一条横线上场强的分布如图2所示。照明区内场强的起伏正是衍射场与投射场相干涉的结果。
从衍射场的严格解得到：在反射区边界以外没有反射波,在阴影区没有投射波,而在全空间都存在着衍射波。如果投射线与屏缘的夹角为 θ，投射线在屏缘的法平面上的投影和屏缘在屏上的法线间夹角为φ0(0<φ0<π),则除去与屏面夹角为π-φ0的一对半平面附近，衍射波面是顶点在屏缘上而锥角为的锥，其法线(衍射线)则在锥角为 θ的锥上。除两边界附近以外，在远离屏缘处，衍射场的振幅与到屏缘的距离ρ 的次幂成反比。在两个边界附近,衍射场的振幅几乎不随ρ 改变,而相位发生跃变,它弥补了投射波或反射波的陡然终止,而保证场的连续。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条