1) semi-mat,glaze
半无光釉
2) semi-inorganic
半无机
1.
A new type of water-soluble semi-inorganic silicon steel sheet varnish was developed for enhancing the insulation between silicon steel sheets which were used in electric motors.
为了增大电机铁芯叠片间的绝缘,以改型酚醛树脂为基体,纳米TiO2为无机填料,研制了一种新型的水溶性半无机硅钢片漆。
3) semi infinite body
半无限体
1.
With an analysis of the roll shaping helical bolts, the paper proposes the reasonable deforming procedures as the bolts being under roll shaping, known as the press in semi infinite body through flat anviling.
通过对螺旋钉滚压成形的分析，提出螺旋钉的合理变形过程一平砧压入半无限体，建立了相应的工艺参数计算公式；经实验应用验证，计算简便，准确合理；为提高产品的产量和质量提供了理论依据。
2.
In terms of Cauchy s integral formula of analytical complex function and the three order spline function of complex variable, a general boundary solution method is presented for solving the complex potential field of the flow field around a 2D semi infinite body.
采用复解析函数的Ｃａｕｃｈｙ积分公式和物面复势三阶样条函数逼近，提出了一种求解二维半无限体势流绕流问题复势的通用方法。
4) semi-infinite target
半无限靶
1.
The physical process of extended penetrator penetrating perpendicularly into semi-infinite target was described.
对伸出式侵彻体垂直侵彻半无限靶板的物理过程进行了描述,分析了侵彻过程中一些重要参量的变化规律,并对此过程进行了三维数值模拟,模拟结果与试验结果有较好的一致性;与具有相同质量相同外径的基准杆进行了比较,结果表明,在火炮速度范围内,伸出式侵彻体相对基准杆有较大的穿深增益,而且这种穿深增益随着撞击速度的增加而逐渐增加。
2.
On the basis of experiments, the patterns of penetration of a long tube against a normal homogeneous semi-infinite target were described.
长管体侵彻靶板有明显的特殊现象 ,根据试验结果描述了长管体垂直侵彻半无限靶板的物理图像 ,建立了侵彻阶段的理论模型、进行了计算 ,并同长杆体进行了对比 ,计算与试验结果吻合较好。
5) semi-infinite
半无限长
1.
Self-similar solutions for semi-infinite interface crack spreading problems in orthotropic medias;
正交异性体中半无限长界面裂纹扩展问题的自相似解
6) half-space
半无限域
1.
Infinite boundary elements for analysis of half-space problems;
用无穷边界元分析半无限域问题
2.
An infinite element approach for three-dimensional boundary element analysis of half-space problems is presented.
在现有程序基础上,引入无穷边界单元,利用其研究三维半无限域问题,并将计算结果与传统边界元法的计算结果进行比较,验证了公式和程序的有效性。
参考词条
补充资料：半导体釉
分子式：
CAS号：
性质：电瓷表面具有半导体性质的玻璃态薄层的釉。一般是在白釉基础上加入适量过渡金属或变价元素氧化物形成的。通常分为氧化铁系、氧化钛系和他们的混合型以及氧化锡和硅化钼系等。其中以氧化铁系和氧化钛系的混合型使用最广，其化学组成(%质量)二氧化硅48～52，氧化铝8～11，氧化铁13～15，氧化钙1.0～1.5，氧化镁3.0～4.5，氧化钾和氧化钠4～6，氧化铬2～6，二氧化钛6～9，氧化钡约5。普通电瓷釉的表面电阻率为1010～l0l3Ω·cm，甚至更高。电瓷表面施半导体釉后可使表面电阻率降低，一般在106～108Ω·cm，可以改善电压分布和增加表面泄漏电流的发热效应，起到烘干污层效能，以防止污闪；提高电晕电压，防止无线电干扰以及延长绝缘子的清扫周期等。
CAS号：
性质：电瓷表面具有半导体性质的玻璃态薄层的釉。一般是在白釉基础上加入适量过渡金属或变价元素氧化物形成的。通常分为氧化铁系、氧化钛系和他们的混合型以及氧化锡和硅化钼系等。其中以氧化铁系和氧化钛系的混合型使用最广，其化学组成(%质量)二氧化硅48～52，氧化铝8～11，氧化铁13～15，氧化钙1.0～1.5，氧化镁3.0～4.5，氧化钾和氧化钠4～6，氧化铬2～6，二氧化钛6～9，氧化钡约5。普通电瓷釉的表面电阻率为1010～l0l3Ω·cm，甚至更高。电瓷表面施半导体釉后可使表面电阻率降低，一般在106～108Ω·cm，可以改善电压分布和增加表面泄漏电流的发热效应，起到烘干污层效能，以防止污闪；提高电晕电压，防止无线电干扰以及延长绝缘子的清扫周期等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。