补充资料：氧化钍基固溶体

分子式：ThO₂ 
CAS号：

性质：具有萤石立方结构。与氧化锆相同，在其中加入二价碱土金属氧化物或三价稀土氧化物时也生成具有氧空位的固溶体，成为氧离子导体。ThO₂基固溶体的离子电导率一般比ZrO₂基固溶体低，但在低氧分压下有较好的热力学稳定性。在离子迁移数大于0.99时允许的最低氧分压，在1000℃、900℃、800℃时分别为10-29.4、10-34.5及10-39.7pa。在这样低的氧分压下有这样高的离子迁移数是其特点。但在高氧分压下，ThO₂基固溶体表现为p型半导体。

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