1) pressureless sintering silicon carbide ceramics
无压烧结碳化硅陶瓷
2) reaction sintering Silicon carbide ceramics
反应烧结碳化硅陶瓷
3) hot isostatically pressed silicon carbide ceramics
高温等静压烧结碳化硅陶瓷
4) silicon carbide voltage-sensitive ceramics
碳化硅压敏陶瓷
5) silicon carbide ceramic
碳化硅陶瓷
1.
Microstructure observation on corrosion behavior of liquid phase sintered silicon carbide ceramics
液相烧结碳化硅陶瓷腐蚀行为的显微观察
2.
The silicon carbide ceramic obtained by pyrolyzing the polyferrocarbosilane has some magnetic properties because of the formation of Fe_3Si characterized by XRD.
采用低分子量的聚硅烷(LPS)与二茂铁合成聚铁碳硅烷(PFCS),后者经高温烧成可制得磁性碳化硅陶瓷,XRD分析表明碳化硅陶瓷具有磁性的原因是由于生成了Fe3Si。
3.
Reaction bonded silicon carbide ceramic materials has many excellent performance, such as high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, resistance to wear and tear, heat shock resistance, which make it become one of the most effective methods of silicon carbide preparation.
反应烧结碳化硅陶瓷材料具有优良的抗高温氧化、耐腐蚀、耐磨损、抗热冲击等性能,使反应烧结成为制备碳化硅材料最有效的方法。
6) SiC Ceramics
碳化硅陶瓷
1.
SiC ceramics is a new type structural material which has excellent mechanical properties in high temperature.
碳化硅陶瓷是一种具有优良的高温力学性能的新型结构陶瓷材料 ,具有热膨胀系数小、比重轻 (只有重金属的三分之一 )、导热系数大等特性 ,非常适合应用于航空航天高温结构件的制造。
2.
SiC ceramics were prepared by pressureless sintering.
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析。
补充资料：无压烧结碳化硅陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：由β碳化硅超细粉和硼、碳一起经烧结制得的陶瓷材料。烧结温度1900～2100℃。制品密度可达到理论密度95％以上。25℃时弯曲强度400～500MPa，1600℃下仍保持高的强度。适于制备形状复杂的制品，用于制造高温结构件。
CAS号：
性质：由β碳化硅超细粉和硼、碳一起经烧结制得的陶瓷材料。烧结温度1900～2100℃。制品密度可达到理论密度95％以上。25℃时弯曲强度400～500MPa，1600℃下仍保持高的强度。适于制备形状复杂的制品，用于制造高温结构件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条