2) wide-gap semi-conductor GaN Sic & AlGaN
宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅和铝镓氮
3) semiconductor silicon material
半导体硅材料
1.
In view of the dramatic development of semiconductor integrated circuit industry, the authors summarize the development process of semiconductor silicon material in the recent 20 years.
针对半导体集成电路行业的迅猛发展,概述了作为半导体工业基础的半导体硅材料在近20年来的发展状况,着重阐明了当代化学技术及其产品对硅材料制造业发展的重要作用,以及随着硅材料业向更高层次的迈进,给化学化工行业带来的挑战与机遇。
4) SiGe semiconductor material
锗硅半导体材料
5) semiconductor material
半导体材料
1.
Fabrication of photonic crystal on semiconductor materials by using focued ion-beam;
聚焦离子束研制半导体材料光子晶体
2.
Development and prospect of semiconductor materials;
半导体材料的发展及现状
3.
Analyse the standard of SEMI semiconductor material;
SEMI半导体材料标准的分析
补充资料：碳化硅半导体材料
分子式：
CAS号：
性质：属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。密度3.2g/cm3。熔点2830℃，本征电阻率(1～0.7)Ω·cm。禁带宽度2.99～42.6eV。电子迁移率300～900cm2/(V·s)，介电常数9.72～10.32。采用艾奇逊(Acheson)法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p型半导体。主要用于制造避雷器阀片和压敏电阻器。
CAS号：
性质：属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。密度3.2g/cm3。熔点2830℃，本征电阻率(1～0.7)Ω·cm。禁带宽度2.99～42.6eV。电子迁移率300～900cm2/(V·s)，介电常数9.72～10.32。采用艾奇逊(Acheson)法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p型半导体。主要用于制造避雷器阀片和压敏电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条