2) gas-sensitive ceramics element
气敏陶瓷元件
3) varistor ceramics
压敏陶瓷
1.
Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics were prepared using high-energy ball milling(HEBM) technique under low-temperature sintering,with voltage-gradient(ES) of 1 934~2 197 V/mm,non-linear coefficient(α) of 20.
57 g/cm3的氧化锌压敏陶瓷。
2.
(St,Ba,Ca)TiO_3-based varistor ceramics were prepared by means of conventional solid reaction.
采用常规固相反应法制备(Sr,Ba,Ca)TiO_3基压敏陶瓷,在Mn作为受主掺杂元素,Nb~(5+)离子取代Ti~(4+)离子的前提下,用Dy~(3+)或Nd~(3+)离子取代Sr~(2+)离子,并系统研究掺杂Dy或Nd对(Sr,Ba,Ca)TiO_3基压敏陶瓷性能和结构的影响。
3.
The semiconductor theory about the conduction of zener diode was appled to the TiO_2-SrCO_3-Bi_2O_3-SiO_2-Ta_2O_5 varistor ceramics since it was analogous to two back to back diodes.
压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。
4) resourceful ceramics
机敏陶瓷
1.
And further we studied the application of the feedback system on resourceful ceramics application.
探讨了反馈系统在机敏陶瓷上的应用。
5) sensitive varistor ceramic
压敏陶瓷
1.
Titanium dioxide sensitive varistor ceramic is a new semi-conductor element with double function.
Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。
6) varistor
[və'ristə]
压敏陶瓷
1.
This paper introduces a usual method and the work flow of preparing nano-sized ZnO,analyzes the concept,characteristics,development and present application of nano-sized ZnO varistor,and studies its structure,electricity parameter and conductive mechanism.
简析纳米氧化锌压敏陶瓷材料的概念、特性、表征、应用现状,以及制备纳米氧化锌的常见方法和工艺流程,并探讨了纳米氧化锌压敏陶瓷的结构、电参数和导电机理。
2.
In this paper,Back-Propagation neural network was used to predict the properties of ZnO varistor.
探讨了ZnO压敏陶瓷性能识别、预测的人工种经网络模型，并选取样本进行具体研究。
3.
The TiO_2 doped SnO_2-based varistors were prepared by solid state reaction method and their microstructure and electrical properties were investigated by X-Ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM)and I-V curves.
研究了TiO_2掺杂浓度对SnO_2-Bi_2O_3-Nb_2O_5-Sb_2O_3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响。
补充资料：气敏陶瓷
| 气敏陶瓷 gas sensitive ceramics 吸收某种气体后电阻率发生变化的一种功能陶瓷。通常分为半导体式和固体电解质式两大类。按制造方法又分为烧结型、厚膜型和薄膜型。按材料成分分为金属氧化物系列（SnO2、ZnO、Fe2O3、ZrO2)和复合氧化物系列(通式为ABO3)。 半导体气敏陶瓷的导电机理主要有能级生成理论和接触粒界势垒理论。按能级生成理论，当SnO2、ZnO等N型半导体陶瓷表面吸附还原性气体时，气体将电子给予半导体，并以正电荷与半导体相吸，而进入N型半导体内的电子又束缚少数载流子空穴，使空穴与电子的复合率降低，增大电子形成电流的能力 ，使陶瓷电阻值下降；当N型半导体陶瓷表面吸附氧化性气体时，气体将其空穴给予半导体，并以负离子形式与半导体相吸， 而进入N型半导体内的空穴使半导体内的电子数减少，因而陶瓷电阻值增大。接触粒界势垒理论则依据多晶半导体能带模型，在多晶界面存在势垒，当界面存在氧化性气体时势垒增加，存在还原性气体时势垒降低，从而导致阻值变化。 常用的气敏陶瓷材料有SnO2、ZnO和ZrO2。SnO2气敏陶瓷的特点是灵敏度高，且出现最高灵敏度的温度Tm较低（约300℃），最适于检测微量浓度气体，对气体的检测是可逆的，吸附、解析时间短。ZnO气敏陶瓷的气体选择性强。ZrO2系氧气敏感陶瓷是一种固体电解质陶瓷的快离子导体。因ZrO2固体中含有大量氧离子晶格空位，因此，造成氧离子导电。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条