1) temperature coefficient of capacitance
电容温度系数
2) temperature coefficient of permittivity
电容率温度系数
3) capacity temperature coefficient
容量温度系数
4) TCR
电阻温度系数
1.
Study on the Resistivity and TCR of P-doped a-Si∶H Thin Films;
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
2.
Modulation of TCR for VO_2 Thin Film by Changing Preparation Parameters;
利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数
3.
Effect of Oleic-acid on TCR of La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3 Polycrystals Prepared by Chemical Coprecipitation Method;
油酸对化学共沉淀法制备La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3多晶的电阻温度系数的影响
5) temperature coefficient of resistance(TCR)
电阻温度系数
1.
The effect of sputtering conditions on temperature coefficient of resistance(TCR) is analyzed by orthogonal experiment,and the optimum process recipes are achieved,including Ar∶O2=48∶0.
利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0。
2.
The temperature coefficient of resistance(TCR) of these samples have been studied.
7)多晶材料,研究了它们的电阻温度系数(TCR)。
6) negative temperature coefficient of resistance
负电阻温度系数
补充资料：电容温度系数
分子式：
CAS号：
性质：在给定温度下，温度每变化1℃时，电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。其表达式为：αc=(式中：αc为电容温度系数，C为给定温度下的标称电容，dC为当温度变化dt时电容的变化值，dt为温度的变化值)。如在某温度范围内，则电容量的平均温度系数的表达式为：(式中C为电容量；Δt为温度变化值，ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。
CAS号：
性质：在给定温度下，温度每变化1℃时，电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。其表达式为：αc=(式中：αc为电容温度系数，C为给定温度下的标称电容，dC为当温度变化dt时电容的变化值，dt为温度的变化值)。如在某温度范围内，则电容量的平均温度系数的表达式为：(式中C为电容量；Δt为温度变化值，ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条