3) ICP
电感耦合等离子体焰炬
6) Dual-frequency capacitively coupled plasma
双频容性耦合等离子体
1.
Dual-frequency capacitively coupled plasma (DF-CCP) is one of the crucial components for etching in microelectronic manufacturing, and has been widely used in the next generation etching applications due to its simple structure and ability to control the plasma density, the ion energy distributions(IEDs), and the ion angle distributions(IADs) separately.
双频容性耦合等离子体(dual-frequency capacitively coupled plasma DF-CCP)源是半导体工业中重要的刻蚀设备,由于其可以产生大面积均匀的等离子体,通过调节高、低频源的放电参数可以有效地控制等离子体密度与离子能量、角度分布,并且结构简单成本较低,符合工业生产上的要求,双频CCP源被广泛应用在新一代的半导体刻蚀机的生产上。
补充资料：电容耦合高频等离子体焰炬
分子式：
CAS号：
性质：以小于300MHz射频为辐射频率，工作频率在10～100MHz的一种电容耦合等离子体光源。该光源由三极管振荡器供给能量，并传到电容器尖形电极上，在尖端产生高场强。当其周围气体电离时，便发生放电火炬，且维持不熄。待测试液通过载气雾化后，吸喷到放电区进行激发。作为原子发射光谱分析光源。
CAS号：
性质：以小于300MHz射频为辐射频率，工作频率在10～100MHz的一种电容耦合等离子体光源。该光源由三极管振荡器供给能量，并传到电容器尖形电极上，在尖端产生高场强。当其周围气体电离时，便发生放电火炬，且维持不熄。待测试液通过载气雾化后，吸喷到放电区进行激发。作为原子发射光谱分析光源。
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参考词条