2) interstitial vacancy defect
间隙空位缺陷
3) interstitial defect
填隙缺陷
4) voids defect
气隙缺陷
1.
The results of electrical trees\' degradations test of samples which contain wedge shape voids defects inside show that partial discharge forms distinguished above can influence the electrical treeing degradation development, and there is a relation between the three degradation effect and the degradation state of insulation polymer.
施压时间对破坏痕迹影响的结果表明,局部放电会在含有气隙缺陷的绝缘材料中形成3种破坏效应,即热效应、化学腐蚀和机械应力作用,而楔形气隙模型试验研究局部放电破坏效应对电树枝生长过程影响的结果显示,局部放电的放电形式会影响材料的破坏状态,放电形成的破坏效应与电树枝生长状态之间具有一定的关系。
5) Porosity flaws
多孔隙缺陷
6) porosity defect
孔隙性缺陷
1.
Aiming at the diffusion welding process and mechanism of internal porosity defects in heavy forging,a new experimental model is built to study the influence of pressure,temperature and holding time on the diffusion welding quality on Gleeble-3500 machine.
针对大型锻件内部孔隙性缺陷的扩散焊合物理过程及其焊合机理,建立了孔隙性缺陷扩散焊合的物理模拟模型,在Gleeble-3500热模拟机上对影响焊合质量的压力、温度和保温时间等因素进行了研究。
补充资料：间隙缺陷
分子式：
CAS号：
性质： 处于间隙位置上的原子或离子形成的缺陷称做间隙缺陷，当晶体中含有体积较小的原子或离子时，经常会产生间隙缺陷。间隙缺陷用Mi·表示，其中符号M表示间隙位置上原子种类，在M的右下角处用i表示原子处于间隙位置，右上角表明间隙缺陷有效电荷的种类和数目。例如AgCl中的间隙缺陷为Agi·，表示是一种阳离子间隙缺陷，带有一个正有效电荷。
CAS号：
性质： 处于间隙位置上的原子或离子形成的缺陷称做间隙缺陷，当晶体中含有体积较小的原子或离子时，经常会产生间隙缺陷。间隙缺陷用Mi·表示，其中符号M表示间隙位置上原子种类，在M的右下角处用i表示原子处于间隙位置，右上角表明间隙缺陷有效电荷的种类和数目。例如AgCl中的间隙缺陷为Agi·，表示是一种阳离子间隙缺陷，带有一个正有效电荷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条