1) ion beam photographic resin
离子束抗蚀剂
3) electron-beam negative photoresist
电子束负性抗蚀剂
4) electron-beam positive photoresist
电子束正性抗蚀剂
5) ion beam etching
离子束刻蚀
1.
Influence of fabrication error in ion beam etching on diffractive optical element;
离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响
2.
Fresnel lens fabricated by ion beam etching;
离子束刻蚀法制作菲涅耳透镜
3.
An Ion beam etching facility,model KZ-400 has been successfully designed and constructed to fabricate large-aperture(400 mm×400 mm) optical diffraction components.
日前我室为制作大口径(400 mm×400 mm)衍射光学元件需要,成功研制了一台KZ-400离子束刻蚀装置。
6) ion-beam etching
离子束刻蚀
1.
The influence of quadratic effect of ion-beam etching on pattern profile and the influence of ion-beam etching incidence angle on slope of pattern sidewall are studied.
介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。
2.
Soft X-ray Ge and Ni condenser phase zone plates are fabricated by ion-beam etching technology on polyimide substrate and contact synchrotron radiation lithography with the mask.
以激光全息离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。
3.
The meanings of ion-beam etching for the fabrication of phase mask are discussed, and the progress of the research on ion-beam etching are introduced.
本文围绕光纤光栅相位掩模的特点和制作展开了理论和实验研究,主要包含了以下几方面的内容: 首先介绍了研究光纤光栅相位掩模的意义和国内外光纤光栅相位掩模的研究进展,并且讨论了离子束刻蚀对于掩模制作的重要意义,介绍了离子束刻蚀的国内外研究现况。
补充资料：离子束抗蚀剂
分子式：
CAS号：
性质：指以离子束为光源的感光树脂，也称为离子束抗蚀剂ion beam resist。离子束光刻是制造超大规模集成电路超精细加工的最新工艺，其突出优点是高分辨率和高灵敏度，因为离子的质量比电子大得多，没有背散射，其他散射也很小，邻近效应可以忽略。另外离子的大体积和质量也易于被抗蚀剂充分吸收，有利于提高灵敏度。离子束抗蚀剂也分为正性和负性两种，聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸叔丁酯、聚甲基乙烯基酮、聚甲基邻氯代丙烯酸酯、聚丁烯砜、聚三氟乙基邻氯代丙烯酸酯等为常见正性离子束抗蚀剂。聚乙烯醇肉桂酸酯、聚丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯、聚溴代苯乙烯等为负性离子束抗蚀剂。一般电子束抗蚀剂均可用作离子束抗蚀剂使用。
CAS号：
性质：指以离子束为光源的感光树脂，也称为离子束抗蚀剂ion beam resist。离子束光刻是制造超大规模集成电路超精细加工的最新工艺，其突出优点是高分辨率和高灵敏度，因为离子的质量比电子大得多，没有背散射，其他散射也很小，邻近效应可以忽略。另外离子的大体积和质量也易于被抗蚀剂充分吸收，有利于提高灵敏度。离子束抗蚀剂也分为正性和负性两种，聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸叔丁酯、聚甲基乙烯基酮、聚甲基邻氯代丙烯酸酯、聚丁烯砜、聚三氟乙基邻氯代丙烯酸酯等为常见正性离子束抗蚀剂。聚乙烯醇肉桂酸酯、聚丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯、聚溴代苯乙烯等为负性离子束抗蚀剂。一般电子束抗蚀剂均可用作离子束抗蚀剂使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条