2) zirconia films
ZrO_2薄膜
1.
The results show that deposition rates of zirconia films decrease and film surface roughness increases approximately linearly with the increase of oxygen partial pressure.
采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO_2薄膜,研究了氧分压与ZrO_2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO_2中间界层的厚度以及ZrO_2薄膜的折射率之间关系。
3) ZrO2(Y2O3) thin film
ZrO_2(Y_2O_3)薄膜
4) Y-ZrO_2 film
Y-ZrO_2薄膜
5) ZrO_2-12wt% Y_2O_3 films
ZrO_2-12wt%Y_2O_3薄膜
6) amine-containing functional films
胺基薄膜
1.
Using allylamine monomer,amine-containing functional films were prepared by pulsed dielectric barrier discharge at a high pressure.
采用高气压脉冲DBD等离子体,以丙烯胺(allylam ine)为聚合单体,氩气为辅助气体,合成胺基薄膜。
补充资料：钽基介电薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条