1) ZnO-based thin films
ZnO基薄膜
1.
ZnO-based thin films have considerable potential applications in many fields, such as UV light emitter, spin functional devices, gas sensors, transparent electronic and surface acoustic wave devices.
首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向,例如p型掺杂、 p-n结的制备、 Mg掺杂、 Cd掺杂和磁性离子掺杂等。
2) Zinc oxide based thin film transistors
ZnO基薄膜晶体管
3) ZnO films
ZnO薄膜
1.
Study on transmission spectrum of ZnO films;
ZnO薄膜的透射光谱研究
2.
Structure and optical properties of ZnO films;
ZnO薄膜的结构特征及光学性能评价
3.
Study on characteristics of ZnO films deposition under various oxygen partial pressure using atomic force microscopy and Raman spectroscopy;
原子力显微镜结合拉曼光谱仪对不同氧分压制备ZnO薄膜性能研究
4) ZnO Film
ZnO薄膜
1.
AFM and transmittance analysis of nonwovens deposited with ZnO film;
非织造布表面沉积ZnO薄膜的AFM和透光性分析
2.
Effect of sapphire substrate pre-treatment on the growth of ZnO films;
蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响
3.
RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD;
用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变
5) ZnO thin film
ZnO薄膜
1.
Research of deposition condition and structural properties of Nd-doped ZnO thin films grown by RF magnetron sputtering;
RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究
2.
Studies on morphology properties of ZnO thin films deposited on Si(111) substrate;
硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
3.
Structure and stress distribution properties of ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering;
射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和应力特性
6) ZnO thin films
ZnO薄膜
1.
Study on structure and optical properties of ZnO thin films;
ZnO薄膜的结构与光学性能研究
2.
Photocatalystic properties of polycrystalline nano-ZnO thin films prepared by sol-gel;
多晶纳米ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及光催化性能研究
3.
Structure and optical properties of ZnO thin films grown by laser molecular beam epitaxy;
LMBE法生长ZnO薄膜的结构和光学性能
补充资料：钽基介电薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条