1) saturation ionization
饱和电离
2) ionization saturation
电离饱和
3) saturation current of ionization chamber
电离室饱和电流
4) saturation ionization of impurities
杂质饱和电离
1.
The origin of saturation ionization of impurities, semiconducting properties of Gray Tin and Gunn effect is analyzed.
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。
5) ion saturation current
离子饱和电流
6) saturation ion current
饱和离子电流
补充资料：碰撞电离(见电离)
碰撞电离(见电离)
collision ionization
pengZhLjo门g凶。川!碰撞电离(eollision ionization)见电离。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条