1)  V5+doping
V5+掺杂
2)  o-nitrobenzaldehyde
V5+
1.
The maximum yield of o-nitrobenzaldehyde was 44.
以V5+ 为氧化剂 ,在硫酸溶液中氧化邻硝基甲苯为邻硝基苯甲醛 ,然后电解再生V5+ 。
3)  V5
V5
1.
Application of V5 digital interface in substation access network;
V5数字接口在变电站通信接入网中的应用
2.
How Operate V5 in ZTE-Softswitching;
在中兴软交换上开通V5接口方案
3.
Design and Implementation of ISDN Mu ltiplexer in V5 System;
V5系统中ISDN业务复用接入方案的设计与实现
4)  CATIA V5
CATIA V5
1.
A ergonomic analysis of NC machine based on CATIA V5;
基于CATIA V5的数控机床人机分析
2.
CATIA V5 application in digital engineering for car;
CATIA V5在汽车数字化工程中的应用
3.
Creating engineering drawing in CATIA V5 by data exchange;
通过数据交换在CATIA V5中创建工程图
5)  CD44 v5
CD44 v5
1.
The Relationship between Telomerase Activity, CD44 v5/v6 and Biological Behavior of Ovarian Cancer;
端粒酶活性及粘附分子CD44 v5/v6与卵巢癌恶性行为的相关性研究
6)  socks V5
Socks V5
1.
In the chapter 3,the thesis introduces the characters and content of SOCKS V5,analyses the .
本文主要论述了在基于SOCKS V5的防火墙中强认证机制的实现。
参考词条
补充资料：半导体材料掺杂


半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。