1) AIN-TiB2 ceramic
AlN-TiB_2陶瓷
2) TiB_2 ceramics
TiB_2陶瓷
1.
TiB_2 ceramics have excellent physical-chemical properties and mechanical properties.
TiB_2陶瓷具有优良的物理化学性能和机械力学性能，它除了具有非常高的硬度和弹性模量外，还表现出一系列良好的特性——导电性、高熔点、耐磨损、重量轻以及高的化学稳定性，其应用前景十分广阔。
3) AlN ceramics
AlN陶瓷
1.
time,temperature and pressure,on sintering charac- teristics of AlN ceramics were studied.
0GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结。
4) AlN ceramic
AlN陶瓷
1.
AlN ceramic with density 3.
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。
2.
The effects of adding CaO?Y 2O 3?YF 3 and (Y,Ca)F 3 on relative density,thermal conductivity,dielectric constnt,dielectric loss et al of AlN ceramic plate material are studied.
本文研究了掺杂成分CaO、Y2 O3 、YF3 、(Y ,Ca)F3 对臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的相对密度、热导率、介电常数、介质损耗等性能的影响。
3.
AlN ceramic with density 3.
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。
5) AlN-BN ceramics
AlN-BN陶瓷
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条