1) substrate pulse bias
双极脉冲偏压
2) ambipolar pulse high voltage
双极性脉冲高压
1.
Removal of chlorobenzene and toluene by dielectric barrier discharge (DBD) of ambipolar pulse high voltage;
双极性脉冲高压介质阻挡放电降解氯苯和甲苯
3) bi-directional pulsed voltage
双极性脉冲电压
1.
The instrument adopts the bi-directional pulsed voltage as its exciting source,which has a better solution to the negative of capacitive and polarizational effects at the electrodes.
仪器采用双极性脉冲电压作为电导率测量的激励源,较好地解决高纯水电导率测量中的极化效应和电容效应对测量结果的影响。
4) pulsed bias
脉冲偏压
1.
Effect of pulsed bias on chemical structure of DLC films prepared by plasma processing;
脉冲偏压对等离子体沉积DLC膜化学结构的影响
2.
Investigation on CN_x films deposited by pulsed bias arc ion plating;
脉冲偏压电弧离子镀CN_x薄膜研究
3.
Quadrupole mass spectrometer was used to analyze the plasma environment of RF magnetron sputtering PTFE target with pulsed bias.
结果表明:增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽、射频功率和气压能提高Ar离子对PTFE靶的溅射能力,增加空间中氟碳自由基的数量,其中各参数对峰位位于25。
5) pulse bias
脉冲偏压
1.
Influence of pulse bias on surface properties of TiN films fabricated by arc ion plating with large rectangle targets;
脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN膜层性能的影响
2.
Orthogonal designs are used to investigate the effect of various parameters on TiN coating in arc ion plating techniques when pulse bias is imposed.
用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响。
6) pulse bias voltage
脉冲偏压
1.
The effects of the flow rate of oxygen and pulse bias voltage on the structure, deposition rate and the surface morphology of thin film were studied.
研究了氧流量和脉冲偏压对薄膜相结构、沉积速率、表面形貌、薄膜硬度的影响。
2.
The influence of pulse bias voltage on the microstructure and properties of TiN films deposited by vacuum arc were studied.
研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。
3.
Al coatings on depleted uranium surface were prepared with magnetron sputtering ion plating process at different pulse bias voltages.
结果表明:在-900 V脉冲偏压下所得镀层与铀基体结合良好,镀层与基体之间存在较为明显的“伪扩散区”;与直流偏压相比较,脉冲偏压所得镀层结合强度明显增强,镀层的致密性显著改善。
补充资料：脉冲极谱法
在直流电压上面叠加一个脉冲方波电压并在方波后期测量电流的极谱法和伏安法，分为示差脉冲极谱和常规脉冲极谱。前者加电压和记录电流的方式与方波极谱法相似，即在缓慢增长的直流电压上面，叠加上方波电压。
示差脉冲极谱 在一个汞滴的一定时间只加上一个方波电压,ΔE为2～100毫伏，方波电压持续的时间也比较长，有的长达40～80毫秒（图1a）。由于在方波后期测量电流，使充电电流和毛细管噪声电流（见方波极谱法）都得到充分衰减，在一个汞滴上只测一次还原电流；而方波极谱则在一个汞滴上加很多方波，每一方波持续的时间短，毛细管噪声电流得不到充分衰减，并在一个周期中两次测量电流，既有氧化电流，又有还原电流。示差脉冲极谱波的波形与方波极谱波相似。
常规脉冲极谱 加脉冲的时间间隔和测量电流的方式都与示差脉冲极谱相同，只是所加脉冲电压是阶梯式的,其振幅不断增长(图1b),得到的极谱波（图2）与直流极谱波（见直流极谱法）相似。
脉冲极谱法是方波极谱法的发展，它比方波极谱法灵敏好几倍，使用的支持电解质的浓度也比较低（小至0.02Μ），是目前灵敏度最高的极谱法和伏安法。
示差脉冲极谱法的优点是灵敏度高(可检出10-9克／毫升的Cd2+)，分辨力好（可以分辨相差 25毫伏的两个峰）,前极化电流的影响小(前放电物质的允许存在量达50000:1)。
示差脉冲极谱 在一个汞滴的一定时间只加上一个方波电压,ΔE为2～100毫伏，方波电压持续的时间也比较长，有的长达40～80毫秒（图1a）。由于在方波后期测量电流，使充电电流和毛细管噪声电流（见方波极谱法）都得到充分衰减，在一个汞滴上只测一次还原电流；而方波极谱则在一个汞滴上加很多方波，每一方波持续的时间短，毛细管噪声电流得不到充分衰减，并在一个周期中两次测量电流，既有氧化电流，又有还原电流。示差脉冲极谱波的波形与方波极谱波相似。
常规脉冲极谱 加脉冲的时间间隔和测量电流的方式都与示差脉冲极谱相同，只是所加脉冲电压是阶梯式的,其振幅不断增长(图1b),得到的极谱波（图2）与直流极谱波（见直流极谱法）相似。
脉冲极谱法是方波极谱法的发展，它比方波极谱法灵敏好几倍，使用的支持电解质的浓度也比较低（小至0.02Μ），是目前灵敏度最高的极谱法和伏安法。
示差脉冲极谱法的优点是灵敏度高(可检出10-9克／毫升的Cd2+)，分辨力好（可以分辨相差 25毫伏的两个峰）,前极化电流的影响小(前放电物质的允许存在量达50000:1)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条