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1)  Ⅱ-Ⅵ oxide semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体
2)  [I-V] compound semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
3)  Ⅱ-Ⅵ semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族半导体
1.
The scattering characteristics of the Ⅱ-Ⅵ semiconductor were analyzed by a method which combines the second-order finite-element method with the rigorous mode matching procedure.
用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。
4)  Ⅱ-Ⅵ semiconductors
Ⅱ-Ⅵ半导体
5)  Ⅱ-Ⅵ group semiconductor quantum dots
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点
1.
Ⅱ-Ⅵ group semiconductor quantum dots(QDs) and QDs/polymer nanocomposites have attracted considerable interests because of their unique photocatalystic,optical and optoelectronic properties.
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其聚合物纳米复合材料在光催化剂、电致或光致发光器件等方面都有优异的表现。
6)  wide band gap Ⅱ-Ⅵ diluted semiconductors
宽带Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体
补充资料:氧化物半导体
分子式:
CAS号:

性质:具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体,是p型半导体;电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体,是n型半导体;导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件,Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件;SnO2膜用于制做透明电极等。

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