1) Gateway Ⅱ
GatewayⅡ
2) Gallium
[英]['ɡæliəm] [美]['gælɪəm]
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
3) GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
4) (Ga-Ga) model
(Ga-Ga)模型
1.
Expected value of sample information for two-action linear decision problems under the(Ga-Ga) model
(Ga-Ga)模型下的二行动线性决策问题的EVSI
5) genetic algorithm & fuzzy C-means
GA-FCM
6) GA
GA法
1.
Application of Improved GA Method in Multi-objective Programming for Water Pollution Control Systems;
改进GA法在水污染控制系统多目标规划中的应用
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条