1) GA-hard and GA-easy problem
GA-难和GA-易问题
2) GA hard problems
GA-难题
4) GA-hard
GA-难
5) Gallium
[英]['ɡæliəm] [美]['gælɪəm]
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
6) GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
补充资料：gallium Ga
分子式：
CAS号：
性质： 第13族(IIIA)元素。原子序数31。稳定同位素69,71。密度5.907g/cm3。熔点29.78℃。沸点2403℃。氧化态+3。固态镓呈蓝灰色，液态镓为银白色金属。液态范围宽且升温时体积膨胀均匀，适于制高温温度计。化学性质和铝相似，但化学活泼性低于铝、硫、硒、碲和磷。砷和锑与镓生成的化合物都是半导体化合物。镓是一种稀散元素，无独立矿床。主要从炼锌废渣和炼铝废渣中回收提取。镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。
CAS号：
性质： 第13族(IIIA)元素。原子序数31。稳定同位素69,71。密度5.907g/cm3。熔点29.78℃。沸点2403℃。氧化态+3。固态镓呈蓝灰色，液态镓为银白色金属。液态范围宽且升温时体积膨胀均匀，适于制高温温度计。化学性质和铝相似，但化学活泼性低于铝、硫、硒、碲和磷。砷和锑与镓生成的化合物都是半导体化合物。镓是一种稀散元素，无独立矿床。主要从炼锌废渣和炼铝废渣中回收提取。镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条