2) selective area growth
选择外延
1.
High performance 1 57μm spotsize converter monolithically integrated DFB is fabricated by the technique of self aligned selective area growth.
利用选择外延技术研制了 1 5 μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件 。
3) selective epitaxy
选择性外延
1.
To satisfy the requirement for high performance infrared detector,a selective epitaxy Schottky barrier diode of SiGe was realized based on high quality silicon device.
为了满足高性能的红外探测要求,以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管。
4) liquid phase epitaxy
液相外延
1.
Fabrication of β-BBO thin films by liquid phase epitaxy technique;
液相外延法制备β-BBO薄膜
2.
Progress in Research on Liquid Phase Epitaxy;
液相外延技术的研究进展
3.
In this paper,the application of liquid phase epitaxy(LPE) technology in the preparation of such materials as silicon,HgCdTe,single-crystal garnet film,III-V semiconductor material,et.
本文介绍了液相外延技术在制备硅材料、碲镉汞材料、石榴石型单晶材料、III-V族半导体材料和其他一些无机材料方面的应用,简述了液相外延技术近十多年来在系统改善、工艺改进和相关理论研究方面的成果,并指出了液相外延技术相对于其他外延技术的优势及其发展需要克服的困难。
5) LPE
液相外延
1.
LPE Growth of CdZnTe Buffer Layers on CdZnTe Substrates;
碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
2.
LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate;
Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析
3.
The Study of Hg_(1-x)Cd_xTe LPE on Silicon Composite Substrates;
Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究
6) rheotaxy
液外相延
补充资料：液相外延
液相外延
liquid Phase ePitaxy
溶液的上部和下部，源的温度比衬底的高。这样溶质从源输运到衬底进行外延。⑤电外延生长。电流通过液一固界面产生局部冷却和使溶液达到过饱和。 设备为了顺利进行LPE，外延设备的基本要求是在外延生长时使溶液与衬底接触，而在生长一层之后，使二者脱离。已发展和设计的LPE设备有:①倾倒式。把溶化和平衡的溶液倾倒在衬底上进行外延，然后溶液回复原处使溶液和衬底脱离。它的优点是设备简单和价格便宜，宜用于在实验室中进行单层生长的初步研究。②浸渍式。把水平或垂直放置的衬底直接浸渍在已平衡的溶液中，待外延生长完毕后，提出衬底。它的优点也是设备简单，但外延层的厚度不均匀，适宜于制备一些要求不高的器件，如太阳电池等。③水平滑动式。是典型和常用的LPE设备(图2)。熔融石英护管\溶液~翔)l户oC热电偶相对位苦底|曲宁l 幽出l!!l!!，，山︹!!l!13l|l占工︸|…|土工丫|||l‘一J|l占占|l|6 ﹃口7 ﹃8了_川C1 图2水平滑动式多层LPE设备 图2中部表示生长时衬底的相对位置，下部表示炉温分布。典型LPE操作是从建立溶液开始的。溶液先与衬底呈液一固平衡，以恒速降温，使之过饱和，然后在温度按规定改变或经过一定时间的过程中进行外延生长。最后，把衬底从溶液中推出。在冷却速度较小和熔体体积不大时，LPE是近平衡生长，因为熔体组分保持在相图液相线附近。此时组分和厚度主要是溶液一衬底接触过程中温度改变的函数。当冷却速度较大和溶液体积较大时，在液一固界面的溶液组分非常接近液相组分。这就是导致扩散控制的生长机理。因此温度改变很小时，外延层厚度和组分主要是溶液和衬底接触时间的函数。 优缺点LPE最主要的优点是液一固界面对生长高质量外延层的有利作用。这是因为nl一V族元素可以得到高度提纯。同时，在LPE时溶液中的许多杂质可以不进入外延层。这方面的例子是LPE首先生长出高质量的AIGaAs，并在1967年制成了第一只高效率的GaAIAs发光二极管(LED)。LPE法有两个主要缺点:①外延结束时，溶液必须与衬底分开。这是比较困液相外延liquid phase epitaxy含溶质的溶液(或熔体)借助过冷而使溶质在衬底上以薄膜形式进行外延生长的方法。简称LPE。以nl一V族GaAIAs化合物为例，熔体由大于90%的Ga溶剂和少量Al、As以及某些掺杂元素等溶质组成。这种溶液在一定过冷时，Ga、Al、As等可以在衬底上沉积，形成GaAIAs化合物的外延层。20世纪50年代末，LPE首先用于外延GaAs并形成PN结。LPE是制备高纯m一V族化合物的有效方法。 基本原理LPE的基础是液固相平衡和过饱和度的控制。LPE的原理见图1。界.科L十S乞洽。
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