1) hybrid perovskite structure
杂化钙钛矿结构
1.
Photoelectric materials with organic-inorganic hybrid perovskite structure are novel molecular-scale composites through organic and inorganic compounds self-assembling.
有机/无机杂化钙钛矿结构光电功能材料是通过有机分子与无机分子的自组装形成的一类新型的分子复合晶体材料,无机金属卤化物构成的钙钛矿结构提供了有序的载流子传输网络并提高杂化材料的机械稳定性和热稳定性,而有机组份的功能性和易加工性使杂化材料具有光电功能和大面积成膜性能。
2) Doped manganese oxides with a perovskite structure
钙钛矿结构掺杂锰氧化物
1.
Doped manganese oxides with a perovskite structure have been a focus of intensive studies due to their rich physics properties and potential applications in spintronic devices.
钙钛矿结构掺杂锰氧化物由于其丰富的物性和在自旋电子学中潜在的应用前景倍受关注。
3) perovskite structure
钙钛矿结构
1.
XRD PATTERN CHARACTER OF SrTiO_3-based perovskite structure;
SrTiO_3基钙钛矿结构X射线衍射谱特征
2.
2) powders with an orthogonal perovskite structure were prepared using the sol-gel method.
XRD图谱表明Nd1-xZnxFeO3粉体为正交钙钛矿结构,产物为纳米级颗粒(16~17。
3.
6)all have orthorhombic perovskite structure.
研究表明:合成的系列纳米材料均具有正交钙钛矿结构,Mn的掺杂对材料La0。
4) perovskite
[pə'rɔvz,kait]
钙钛矿结构
1.
Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3 material;
钙钛矿结构La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3的庞磁电阻性质
2.
Study on Preparations and Magnetic Properties of Manganites with Perovskite Structure;
钙钛矿结构锰氧化物的合成及性质研究
3.
The LaNiO_3 samples with perovskite structure were prepared using citric acid aqueous solution, then heated at high temperature in air.
利用柠檬酸盐分解法,在空气气氛中高温烧结,合成了钙钛矿结构的LaNiO3。
5) Perovskite Type Structure
钙钛矿结构
1.
The effects of composition and crystal lattice of lead-free ceramics with perovskite type structure, which is employed in dielectric capacitor applications, have been widely investigated.
本文以具有钙钛矿结构的无铅电容器陶瓷材料[BaTiO_3、Bax(Bi_(0。
补充资料：钙钛矿型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条