1) layered perovskite structure
层状钙钛矿结构
1.
With partial substitution of niobium by iron cations (up to 10?at%), the single-phase layered perovskite structure was preserved and the sintering temperature of the system was lowered (～100?℃).
采用传统的烧结工艺制备了陶瓷样品,XRD和SEM分析表明SBFN仍具有层状钙钛矿结构,掺杂Fe导致SrBi2Nb2O9陶瓷样品的烧结温度降低约100℃。
2) Bi-layer perovskite structure
铋层状钙钛矿结构
3) layered perovskite
层状钙钛矿
1.
Structure,magnetic and electric properties of layered perovskite LaSr_2Mn_(1.9)Cu_(0.1)O_7;
层状钙钛矿LaSr_2Mn_(1.9)Cu_(0.1)O_7的结构及磁电特性研究
2.
Magnetic and electrical properties of layered perovskite La_(1.3)Sr_(1.7)Mn_(1-x)Cu_xO_7;
层状钙钛矿La_(1.3)Sr_(1.7)Mn_(2-x)Cu_xO_7的磁性及电特性
3.
The samples have the single phase with layered perovskite structure and the space group is I4/mmm.
利用固相反应烧结法制备了层状钙钛矿锰氧化物LaSr_2Mn_(2-x)Cu_xO_7多晶样品。
4) layered perovskite manganate
层状钙钛矿结构锰氧化物
5) perovskite structure
钙钛矿结构
1.
XRD PATTERN CHARACTER OF SrTiO_3-based perovskite structure;
SrTiO_3基钙钛矿结构X射线衍射谱特征
2.
2) powders with an orthogonal perovskite structure were prepared using the sol-gel method.
XRD图谱表明Nd1-xZnxFeO3粉体为正交钙钛矿结构,产物为纳米级颗粒(16~17。
3.
6)all have orthorhombic perovskite structure.
研究表明:合成的系列纳米材料均具有正交钙钛矿结构,Mn的掺杂对材料La0。
6) perovskite
[pə'rɔvz,kait]
钙钛矿结构
1.
Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3 material;
钙钛矿结构La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3的庞磁电阻性质
2.
Study on Preparations and Magnetic Properties of Manganites with Perovskite Structure;
钙钛矿结构锰氧化物的合成及性质研究
3.
The LaNiO_3 samples with perovskite structure were prepared using citric acid aqueous solution, then heated at high temperature in air.
利用柠檬酸盐分解法,在空气气氛中高温烧结,合成了钙钛矿结构的LaNiO3。
补充资料：钙钛矿型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条