1) core-shell nanowire heterostructures
芯-壳异质纳米线
2) heterostructure nanowire
异质结纳米线
1.
However,it is still underdeveloped on the effective routes,especially the solution phase methods,for the synthesis of TE nanomaterials,therefore,it is still challenging works to obtain various promising TE nanostructures,including core/sheU heterostructure nanowires,large scale single crystalline nanotubes and so on,which will undoubtedly limit the advance of the TE area.
然而,目前热电纳米材料的合成方法,特别是液相方法的发展仍不完善,导致了部分被理论预言具有巨大应用前景的热电纳米结构,包括核壳异质结纳米线和单晶纳米管等至今仍难以获得,这无疑将大大抑制热电领域的研究进展。
3) hetero-nanocrystals
异质纳米晶
1.
Gradual Ge1-xSix/Si hetero-nanocrystals on ultrathin SiO2 layers were fabricated by combining self-assembled growth and the selective chemical etching method.
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性。
4) nanometer protein shell
纳米蛋白质壳
5) nanoheteroepitaxy
纳米异质外延
1.
With the further advance in the fabrication tehcnology of nano-pattern,much attention will be paid to nanoheteroepitaxy for the growth of high quality heteroepitaxial film on Si substrate.
纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。
6) hetero-nanocrystal
异质纳米结构
1.
Basing on Bardeen s transfer Hamiltonian formalism,the charge storage characteristics of p-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory is simulated.
采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 。
补充资料：9315底吹壳芯机操作规程
1、遵守《铸造设备通用操作规程》有关规定。
2、检查设备上的行程开关和碰块的位置是否正确，如不正确，必须调正。
3、接通电源，拧开压缩空气伐门，先用手动方法，对各机构逐个进行点动试车，然后用自动方法，进行一个循环试车。确认一切正常之后，方可进行生产。
4、设备开动后，在一个循环未完成时，不许中途调整电器，以免出现误动作，造成人身事故。
5、设备每运转一个循环后，必须用喷咀将芯盒上残存的砂子吹去，然后喷涂分型剂。
6、如果用手操作，不许同时操作两个以上的电器开关。
7、在工间休息时，必须将煤气关小，以免烧坏芯盒。
8、工作后，清理射砂头时，不许按动电器开关，以免夹手，造成人身事故。
2、检查设备上的行程开关和碰块的位置是否正确，如不正确，必须调正。
3、接通电源，拧开压缩空气伐门，先用手动方法，对各机构逐个进行点动试车，然后用自动方法，进行一个循环试车。确认一切正常之后，方可进行生产。
4、设备开动后，在一个循环未完成时，不许中途调整电器，以免出现误动作，造成人身事故。
5、设备每运转一个循环后，必须用喷咀将芯盒上残存的砂子吹去，然后喷涂分型剂。
6、如果用手操作，不许同时操作两个以上的电器开关。
7、在工间休息时，必须将煤气关小，以免烧坏芯盒。
8、工作后，清理射砂头时，不许按动电器开关，以免夹手，造成人身事故。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条