2) Hydrogenated nanocrystalline silicon thin film/Crystalline heterostructure
氢化纳米硅薄膜/单晶硅异质结
4) nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon
纳米多晶硅/单晶硅
1.
The nanopolycrystalline silicon was joined with the crystalline silicon to form a nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon heteroj
本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13。
5) nanocrystalline silicon
纳米晶硅
1.
Nanocrystalline silicon (nc Si) clusters can be formed by rapid thermal annealingthe hydrogenated amorphous silicon (a Si∶H) films at 600～620℃ for about 10s.
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 。
2.
The nanocrystalline silicon clusters formed in thermally annealed a-Si:H films and the potoluminescence;
报道了氢化非晶硅薄膜在600-620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1。
补充资料：硅单晶
硅单晶
硅单晶 《有色金属研究总院》
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条