1) Measurement of mix-mode's parameters
混合模S参数测量
2) mix-mode S-parameters
混合模S参数
1.
Then the mix-mode S-parameters of balanced component can be calculated though mathemati- cal .
数学巴伦法是一种数学上的处理方法,在实际测量时将每个差分端口的两端分别与地看作一个单端(非平衡)端口,用普通网络分析仪测量出多端口非平衡S参数,再经过数学处理得到平衡器件的混合模S参数,而不需外加物理巴伦。
5) measurement method combined digital and analog technique
数模混合测量法
1.
Electric pulse width measurement method combined digital and analog technique;
电脉冲宽度的数模混合测量法
6) four-parameter mix model
四参数混合模型
1.
The four-parameter mix model is better than Weibull distribution,but it is not fit for laboratory systems because in the model,parameters estimation is considerablely complicated.
在风力发电模拟系统中,风场模拟是一个关键环节,虽然通常认为风场符合Weibull分布,但它并不能很好的反映实际风场;后来提出了四参数混合模型,该模型弥补了Weibull分布的缺点,但其参数的估计计算相当繁琐;针对实验室模拟风场,该文提出了一种计算简便的风速数学模型,该模型将自然风速分为基本风速、阵风、缓慢变化风速和噪声风速4部分组成,而每个部分计算较为简便,并通过LabVIEW语言实现了对风场的模拟,模拟结果较为理想。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条