2) mercury film electrode
汞膜电极
1.
DNA was studied by means of cyclic voltammetry (CV) with a mercury film electrode (MFE) using conventional CV, differential pulse voltammetry and alternating current voltammetry.
首次在汞膜电极上利用循环伏安、微分脉冲和交流伏安法研究脱氧核糖核酸（ＤＮＡ） 的电化学行为。
2.
The electrochemical mechanism of a nodic-stripping voltammetry with the mercury film electrode and the simple preparation method of the electrode are studied.
研究了汞膜电极阳极溶出伏安法的电化学机理及其简单的制作方法,并对常用的铂球镀银汞膜电极和旋转玻璃炭汞膜电极进行了比较。
3.
The electrochemical sensors were silver based mercury film electrodes.
系统以银基汞膜电极为电化学传感器,通过PC机多线程控制三路恒电位仪电路、各蠕动泵和电磁阀,实现自动进样、检测和清洗。
3) mercury film distortion
汞膜形变
4) Mercury coated silver electrode
汞膜银电极
5) Ag-Hg film electrode
银汞膜电极
1.
Methods: The method of using the Ag-Hg film electrode is combined with classical polarograph.
方法 :采用银汞膜电极阳极溶出伏安法与经典的883笔录式极谱仪联用 ,并进行了内部电解法以提纯底液 ,使之空白为零。
6) HgCdTe film
碲镉汞薄膜
1.
Metalorganic chemical vapour phase deposition (MOCVD) is a very important technique to grow high quality HgCdTe films for fabrication of infrared focal plane arrays (IRFPAs).
文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
2.
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region.
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 。
补充资料：汞膜电极
分子式：
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条