4) C/C multilayer DLC films
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C/C多层类金刚石薄膜
5) Al/AlN multilayer
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Al/AlN多层膜
6) AlN/BN nano-multilayers
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AlN/BN多层膜
补充资料:金刚石膜
分子式:
CAS号:
性质:用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高,达HV100GPa,热导率为100W·cm-l·K-1,为铜的5倍,禁带宽度为6.6~8.0eV,室温电阻率高达1016Ω·cm,通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率,它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜,以制备金刚石器件。
CAS号:
性质:用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高,达HV100GPa,热导率为100W·cm-l·K-1,为铜的5倍,禁带宽度为6.6~8.0eV,室温电阻率高达1016Ω·cm,通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率,它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜,以制备金刚石器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条