1) local back contact
背面局域接触
2) localzied rear contacts structure
局部背接触结构
3) back contacts
背接触
1.
Effects of nitric-phosphoric acid etches on properties of CdTe thin films and back contacts of CdTe solar cells;
硝磷酸腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响
2.
And the formation of back contacts and the effect of a Te layer on the performance of CdTe solar cells were investigated.
在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响。
4) back contact
背接触层
1.
Then four back contact materials were deposited on the CdTe thin films etched with two surface pretreatments.
随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层,提出了适宜于工业化生产的背接触技术,并从实验和理论上对两种背接触结构的CdTe太阳电池进行了分析。
5) Mo back confactl
Mo背接触
6) back contact
背接触
1.
The CdTe thin films were etched with nitric-acetic(NA) acid and a Cu back contact layer was deposited onto the etched CdTe surface,then the CdTe solar cells were fabricated.
采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接触层,制备CdTe太阳电池。
2.
This paper outlines the structural characteristics,manufacturing technology and recent progress in some back contact silicon solar cells,and points out the development direction for the further research.
背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。
3.
The back contact techn.
制备高效率的CdTe太阳电池,需要解决好几项关键技术,背接触问题就是其中之一。
补充资料：超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
伦敦第二个方程（见“伦敦规范”）表明，在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r)，而与其他位置的A无牵连；换言之，局域的A(r)可确定该局域的js(r)，反之亦然，即理论具有局域性，所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变，则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`，所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此，超导电性需由非局域性理论来描绘，称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条