1)  Grid gated impulse
栅极选通脉冲
2)  grid
栅极
1.
Short circuit elimination for grid components in ion rocket engine;
离子火箭发动机栅极组件短路消除方法
2.
Analysis of the Effects of Grid on the Beam Performance;
栅极对电子注性能的影响分析
3.
The thruster s grid is one of the many key components in the influence of the thruster life.
推力器栅极部分是影响推力器寿命的主要关键部件之一。
3)  grids
栅极
1.
Particle simulation of ion thruster grids was carried out via particle-in-cell(PIC) method and numerical method for calculating the erosion depth of the accelerator grid downstream surface was developed.
使用聚焦深度表面测量(DFF)方法对加速栅极下游表面腐蚀深度进行了测量,并将测量结果与数值模拟结果进行了比较,所使用的数值方法为PIC-Monte Carlo方法。
2.
IT with dome grids are subject to significant thrust losses due to the divergence o f the ion beam.
栅极是离子光学系统的主要组件,作者主要针对大面积球面栅的束发散较大的问题,对栅极进行了补偿设计,目的是减小束发散角。
4)  gate electrode
栅极
1.
New type gate electrode of CNT-FED fabricated by chemical corrosive method;
新型场发射器件中栅极的化学刻蚀制备(英文)
2.
Using the high-quality mica plate as substrate materials, a new gate electrode structure was fabricated successfully with silver slurry and simple screen-printing process.
利用优质云母板作为栅极结构基底材料,结合简单的丝网印刷工艺将导电银浆制作成条状栅极,制作了新型的栅极结构;采用高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极,制作了三极结构碳纳米管阴极平板显示屏样品。
5)  gate
栅极
1.
By tying gate and substrate of MOSFET together,a Dynamic Threshold MOS(DTMOS) is obtained.
通过将衬底和栅极连接在一起实现了MOSFET的动态阈值,DTMOS与标准的MOSFET相比具有更高的迁移率,在栅极电压升高时DTMOS阈值电压会随之降低,从而获得了比标准的MOSFET大的电流驱动能力。
2.
The rate of successfully fabricating device was improved with the new gate structure, which decreased the device cost and avoided the damag.
利用优质云母板作为绝缘材料,结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。
3.
A brief review of development of high K gate dielectrics is provided.
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。
6)  grid bias voltage
栅极偏压
1.
The high quality nanocrystalline diamond (NCD) film is successfully deposited by double bias voltage nucleation and grid bias voltage growth.
在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜。
参考词条
补充资料:光子选通光谱烧孔光存储材料


光子选通光谱烧孔光存储材料
photogated spectral hole burning optical storage materials

光子选通光谱烧孔光存储材料photogatedsPeetral hole burning oPtieal storage materials当有选通光存在时,利用窄线激光光束,在材料的不均匀增宽吸收线上烧出持久光谱孔,作为二进制数字编码的光盘存储材料。由于增加了频率范畴的烧孔,使原有平面内的烧孔密度进一步扩大。这实际上是一种高密度频域光存储材料。 激光引起的持久光谱烧孔现象在许多有机和无机系统中存在,其中由于光学中心微观环境的不等价效应,引起吸收线的不均匀增宽。在这种情况下,吸收线内特定频率的吸收是与某一等价中心子集相应的。这样,利用一线宽适当窄的可调谐激光束,就能在不均匀线内选择一组吸收与激光频率共振的子集(离子或分子),激发或引起其产生光物理或光化学变化,而由于这种离子的减少,就引起原来不均匀增宽吸收线上相应频率处吸收的减少,形成凹陷,产生了所谓的持久光谱烧孔。 单频激光烧孔(或称单光子烧孔)作为光存储应用时,由于读出光与写入光频率相同,读出时仍有烧孔效应,反复读出后,不可避免地要引起孔的退化和信噪比的降低。 光子选通烧孔不同,其中,烧孔是经过两步过程完成的。第一步是选择激发过程,它保证在不同子集之间不发生相互作用的条件下,通过调谐激光频率,在不均匀增宽吸收线内选择一组离子(分子)子集激发,使之达到某一中间态;第二步是利用频率不同的选通激光,进一步作用于已被激发的离子(或分子),使其产生某种光物理或光化学变化(如光电离、光解离,施主受主电子转移等),由于这部分离子的减少,就在不均匀吸收线上产生了孔,在光存储应用中即表现为信息写入过程。信息的读出,也就是孔的探测过程。这时只须用一与选择激发同样频率范围的可调谐激光器,通过测吸收或激发光谱的方法,在整个不均匀吸收线上,探测有孔或无孔来完成。由于不加选通光,只用一束光探测,从而避免了孔退化和信噪比降低。 通常,光谱孔的频宽△。h近似地为均匀线宽的两倍,△。h一2△。H,在不均匀增宽线上能烧出孔的数目,可由不均匀线宽△。i对孔宽△。h之比(△。l’/△。h)来确定。在液氦温度下,对某些材料可达10“一10‘的量级。这样,对于一束聚焦到1召m直径的光斑点(其平面密度相当于107一10sbit/cm),利用光谱烧孔来存储信息,可将存储密度提高到10‘。bit/cm的量级。 这种烧孔大多在低温下进行。随着温度升高,孔宽增加,存储密度将减小。在一定的温度以上不再能烧孔,或已烧出的孔消失,从而达到擦除的目的。除了这种热擦除以外,低温下的孔主要通过特定波长的光照来擦除,因而被用来做可擦除光存储器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。