1) Subject evolution
主题嬗变
2) topic
主题
1.
TOM algorithm in distributed topic maps merging;
分布式主题地图合并中的TOM算法
2.
Topic-based Probabilistic Document Correlation Model;
一种基于主题的概率文档相关模型
3.
Study on potential influence topic in on-line community;
在线论坛中潜在影响力主题的发现研究
3) subject
主题
1.
Subject Based Data Subscription/Publish Technology;
基于主题的数据订阅分发技术
2.
Determination on subjects,dimensions and granularities of data warehouse for business analysis of iron and steel enterprise;
钢铁企业营销分析数据仓库主题、维、粒度的确定方法
3.
Cherish the flower of life——Analysis of the subject matter of Mao Mao;
珍惜生命之花——童话《毛毛》主题解读
4) theme
主题
1.
Theme·High-Tech·Humanity ——Study on the Characters of Architecture Design of Expo 2000 Hannover;
主题·高技·人性——2000汉诺威世博会建筑设计特点研究
2.
Understanding the theme of Eliot s Waste Land again;
在“形而下”与“形而上”之间求索——艾略特《荒原》主题新解
5) Motif
主题
1.
Waiting for Godot and The Bus Stop share the same motif of waiting.
《等待戈多》和《车站》都以等待为主题,然而,《等待戈多》是现代主义作品,通过两个流浪汉无始无终的等待,展示了现代社会中人类生存的荒诞与绝望,又通过漂泊者波卓和幸运儿的遭遇强化了存在的无意义;《车站》是现实主义作品,虽然也涉及了等待,但却通过漂泊者“沉默的人”的积极行动,鼓励人们积极进取,否定了消极的等待,也否认了人类生存的荒诞与绝望。
6) themes
主题
1.
Research themes of higher education abroad in the Early 21st Century——Based on the analysis of Studies in Higher Education sponsored by SRHE;
21世纪初国外高等教育研究的主题——对英国《高等教育研究》2001—2006年的文章分析
2.
On the themes of Lu Jian s lyric poetry creation in new era;
吕剑新时期抒情诗创作主题论
3.
On modern themes in Hardy s tragic novels;
论哈代悲剧小说的现代主题
参考词条
补充资料:半导体核嬗变掺杂
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料,通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素,达到半导体材料的掺杂目的。目前,只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克-霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂,首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品,产量逐年增加。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。