混沌输运,chaotic transport,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

您的位置：首页 -> 词典 -> 混沌输运

1) chaotic transport 点击朗读

混沌输运

2) chaotic transport and mixing 点击朗读

混沌输运与混合

3) chaos [英]['keɪɔs] [美]['keɑs] 点击朗读

混沌运动

Under the conditions of chaos and on the basis of the chaos criterion for the system about Smale horse hoof commutation of thin rectangular plate in the transverse electro-magnetic field under distributed transverse loads, the differential equations of Duffing vibration system were built by the method of Melnikov function.

在应用Melnikov函数方法,给出受横向分布载荷作用下,矩形薄板的磁弹性耦合系统发生混沌运动的条件和混沌运动判据的基础上,建立了Duffing振动系统的微分方程,针对薄板的磁弹性耦合振动系统做了混沌运动分析。

Such a model is shown to exhibit some remarkable characteristics via numerical calculation, like the trapping and chaos of atoms and the correlative coupling among three laser fields.

应用一种半经典的方法求解了非均匀磁场中的CQED模型 ,借助于数值模拟发现了该模型中原子的囚禁与混沌运动以及三模激光场之间的关联耦合等特征 ,并讨论了激光场的强度、频率和非均匀磁场的磁场强度等参数对原子囚禁的影响 ,其物理图像直观、清

Bifurcation of periodic motions and chaos in the system were studied when the angular frequencies increase from change 30rad/s to 100?rad/s by steps 0 1?rad/s.

利用计算机仿真及Poincare映射方法研究不对称分段线性非线性机械系统的运动学特征·研究了外激振力角频率从 30rad/s以步长 0 1rad/s增加到 10 0rad/s时 ,系统的周期运动分岔和混沌运动·发现其中除了存在倍周期分岔外 ,还存在P 1到P 3的突变、P 2到P 1的倒分岔和P 3到P 1的突变·给出了全局分岔图、局部分岔图、混沌运动的Poincare映射及 3种周期运动的时间历程曲线和相平面图·对于设计此类机械系统具有指导意义

更多例句>>

4) chaos motion 点击朗读

混沌运动

In this paper, the characteristics and some judging methods of chaos motion are summeriged.

本文总结了混沌运动的特点及判断浑沌运动的几种方法，这些方法是分析混沌运动和其它非线性现象的重要方法。

更多例句>>

5) chaotic motion 点击朗读

混沌运动

Study on vertical chaotic motion of nonlinear viscoelastic pile; 点击朗读

非线性粘弹性基桩纵向混沌运动

An anti-nature image formed by chaotic motion; 点击朗读

用混沌运动生成伪自然图像

Semiclassical approximation:quantization of chaotic motion; 点击朗读

半经典近似:混沌运动的量子化

更多例句>>

6) chaotic region 点击朗读

[天]混沌运动

补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

阵发混沌运动拟周期混沌运动混载运输混沌

随机混沌运动混沌运动形态周期/混沌运动规则与混沌运动

说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
	您的位置：首页 -> 词典 -> 混沌输运 1) chaotic transport 混沌输运 2) chaotic transport and mixing 混沌输运与混合 3) chaos [英]['keɪɔs] [美]['keɑs] 混沌运动 1. Under the conditions of chaos and on the basis of the chaos criterion for the system about Smale horse hoof commutation of thin rectangular plate in the transverse electro-magnetic field under distributed transverse loads, the differential equations of Duffing vibration system were built by the method of Melnikov function. 在应用Melnikov函数方法,给出受横向分布载荷作用下,矩形薄板的磁弹性耦合系统发生混沌运动的条件和混沌运动判据的基础上,建立了Duffing振动系统的微分方程,针对薄板的磁弹性耦合振动系统做了混沌运动分析。 2. Such a model is shown to exhibit some remarkable characteristics via numerical calculation, like the trapping and chaos of atoms and the correlative coupling among three laser fields. 应用一种半经典的方法求解了非均匀磁场中的CQED模型 ,借助于数值模拟发现了该模型中原子的囚禁与混沌运动以及三模激光场之间的关联耦合等特征 ,并讨论了激光场的强度、频率和非均匀磁场的磁场强度等参数对原子囚禁的影响 ,其物理图像直观、清 3. Bifurcation of periodic motions and chaos in the system were studied when the angular frequencies increase from change 30rad/s to 100?rad/s by steps 0 1?rad/s. 利用计算机仿真及Poincare映射方法研究不对称分段线性非线性机械系统的运动学特征·研究了外激振力角频率从 30rad/s以步长 0 1rad/s增加到 10 0rad/s时 ,系统的周期运动分岔和混沌运动·发现其中除了存在倍周期分岔外 ,还存在P 1到P 3的突变、P 2到P 1的倒分岔和P 3到P 1的突变·给出了全局分岔图、局部分岔图、混沌运动的Poincare映射及 3种周期运动的时间历程曲线和相平面图·对于设计此类机械系统具有指导意义更多例句>> 4) chaos motion 混沌运动 1. In this paper, the characteristics and some judging methods of chaos motion are summeriged. 本文总结了混沌运动的特点及判断浑沌运动的几种方法，这些方法是分析混沌运动和其它非线性现象的重要方法。更多例句>> 5) chaotic motion 混沌运动 1. Study on vertical chaotic motion of nonlinear viscoelastic pile; 非线性粘弹性基桩纵向混沌运动 2. An anti-nature image formed by chaotic motion; 用混沌运动生成伪自然图像 3. Semiclassical approximation:quantization of chaotic motion; 半经典近似:混沌运动的量子化更多例句>> 6) chaotic region [天]混沌运动补充资料：半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运 conductance and charge transport in semiconductor 　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条阵发混沌运动拟周期混沌运动混载运输混沌

©2011 dictall.com