1)  MOSFET
MOSFET晶体管
2)  power MOSFET
功率MOSFET晶体管
3)  MO
MO
1.
Microstructure and Mechanical Properties of B_4C/TiC/Mo Ceramic Composites;
B_4C/TiC/Mo陶瓷复合材料的力学性能和微观结构
2.
Analysis of Mn,Mo,V,Ni,Al,Cu,Cr in low alloy steel by ICP-AES;
ICP-AES分析低合金钢中的Mn、Mo、V、Ni、Al、Cu、Cr元素
3.
Effects of Mg,B,Mo,Ca Spraying on Nicotine,Polyphenols,and Other Components in Flue-cured Tobacco;
喷施Mg、B、Mo、Ca对烤烟烟碱、多酚类等成分的影响
4)  Mo(Ⅵ)
Mo（）
5)  molybdenum(Ⅳ)
Mo（Ⅳ）
6)  molybdenum(Ⅵ)
Mo（Ⅵ）
参考词条
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。
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