1) nonlinear impairment
非线性传输损伤
1.
Dispersion management is one of the techniques to suppress the nonlinear impairments.
非线性克尔(Kerr)效应导致的非线性传输损伤是光纤通信系统面临的主要障碍之一。
2) nonlinear damage
非线性损伤
1.
3D numerical analysis on nonlinear damage seismic response of large underground caverns of Yingxiuwan hydropower station
映秀湾水电站大型地下洞室群三维非线性损伤地震响应数值分析
3) transmission impairment
传输损伤
1.
Firstly, This paper presents the basic conceptions of the Jitter and the Wander, and describes the transmission impairment caused by the Jitter and the Wander.
在简要介绍数字信号相位抖动和漂移的基本概念之后 ,重点阐述对于准同步数字序列 /同步数字序列 (PDH/SDH)网络的相位抖动和漂移所带来的传输损伤 ,并介绍 ITU- T最新建议 O。
2.
In WDM optical networks,some factors directly degrade the signal quality when signals are transmitted in the physical layer,and connection requests would be failed when the degradation is too severe,so transmission impairments should be considered in the process of RWA(Routing and Wavelength Assignment) algorithm.
在WDM光网络中,物理层上存在使信号传输质量恶化的因素,当信号质量劣化到一定程度会导致连接失败,因此有必要在选路和波长分配RWA(Routing and Wavelength Assignment)算法中考虑物理层的传输损伤。
4) transmission impairments
传输损伤
1.
Transmission at so high speed must be severely limited by transmission impairments.
在如此高速率的光传输中，必然招致巨大的传输损伤，这些传输损伤有：噪声累积，主要是光放大器的放大自发辐射噪声(ASE)；色散，包括群速度色散(GVD)和偏振模色散(PMD)；非线性效应，包括自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)、受激拉曼散射(SRS)、受激布早渊散射(SBS)和四波混频(FWM)。
2.
Advanced modulation format is one of the key technologies of 40Gbit/s system because of its capability in mitigating transmission impairments.
高级光调制格式可以有效地抑制这些传输损伤的影响,成为40Gbit/s系统的关键技术之一。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条